立方相GaN外延层中堆垛层错的非对称性

沈晓明; 渠波; 冯志宏; 杨辉

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通过 TEM截面像和平面像的观察 ,对于用低压金属有机化合物气相外延 (LP MOVPE)法在 Ga As(0 0 1 )衬底上制备的立方相 Ga N外延层中的缺陷结构进行了观察和分析 .结果表明 ,在立方 Ga N/Ga As(0 0 1 )外延层中存在很高密度的堆垛层错 .层错密度及其宽度在相互垂直的〈1 1 0〉方向上有明显的差异 .闪锌矿结构中 α位错与

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来源
《广西大学学报：自然科学版》 |2002年第3期|252-255|共4页
作者
沈晓明; 渠波; 冯志宏; 杨辉;
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作者单位

广西大学理学院;

中国科学院半导体研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类杂质和缺陷;
关键词
外延层; 立方相GaN; 透射电子显微镜; 堆垛层错; 非对称性; 半导体材料; 氮化钙; 缺陷结构;

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