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1.
STRUCTURAL AND OPTICAL PROPERTIES OF GROUP Ⅲ-NITRIDE QUANTUM WELLS STUDIED BY (S)TEM AND CL
机译:
用(S)TEM和CL研究Ⅲ族氮化物量子阱的结构和光学性质
作者:
H. Lakner
;
Q. Liu
;
G. Brockt
;
A. Radefeld
;
F. Schulze-Kraasch
;
F. Scholz
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
2.
PHOTOCURRENT RESPONSE IN Mg-DOPED GaN
机译:
Mg掺杂GaN中的光电流响应
作者:
C. H. Qiu
;
J. I. Pankove
;
I. Akasaki
;
H. Amano
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
3.
PHOTOLUMINESCENCE CHARACTERISTICS OF GaN LAYERS GROWN ON SOI SUBSTRATES AND RELATION TO MATERIAL PROPERTIES
机译:
在SOI衬底上生长的GaN层的光致发光特性及其与材料性能的关系
作者:
A. PHILIPPE
;
C. BRU-CHEVALLIER
;
G. GUILLOT
;
J. CAO
;
D. PAVLIDIS
;
A. EISENBACH
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
4.
LOCAL ELECTRONIC STRUCTURE OF DEFECTS IN GaN FROM SPATIALLY RESOLVED ELECTRON ENERGY-LOSS SPECTROSCOPY
机译:
空间分辨电子能谱研究GaN中缺陷的局部电子结构
作者:
M. K. H. NATUSCH
;
G. A. BOTTON
;
R. F. BROOM
;
P. D. BROWN
;
D. M. TRICKER
;
C. J. HUMPHREYS
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
5.
GaN CRYSTALS: GROWTH AND DOPING UNDER PRESSURE
机译:
GaN晶体:在压力下生长和掺杂
作者:
I. GRZEGORY
;
M. BOCKOWSKI
;
B. LUCZNIK
;
M. WROBLEWSKI
;
S. KRUKOWSKI
;
J. WEYHER
;
G. NOWAK
;
T. SUSKI
;
M. LESZCZYNSKI
;
H. TEISSEYRE
;
T. SUSKI
;
E. LITWIN-STASZEWSKA
;
S. POROWSKI
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
6.
CURRENT CONTROLLED PHOTOELECTROCHEMICAL ETCHING OF GAN LEAVING SMOOTH SURFACES
机译:
滑脱光滑表面的电流控制光化学刻蚀
作者:
T. ROTTER
;
D. UFFMANN
;
J. ACKERMANN
;
J. STEMMER
;
J. GRAUL
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
7.
TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY STUDY OF ROOM TEMPERATURE LASING EPITAXIAL ZnO FILMS ON SAPPHIRE
机译:
蓝宝石表面室温氧化ZnO薄膜的透射电子显微镜研究。
作者:
N. WANG
;
K.K. FUNG
;
P. YU
;
Z.K. TANG
;
G.K.L. WONG
;
M. KAWASAKI
;
A. OHTOMO
;
H. KOINUMA
;
Y. SEGAWA
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
8.
Detection and Analysis of Phase Separation in Metalorganic Chemical Vapor Deposition InGaN
机译:
金属有机化学气相沉积InGaN中相分离的检测与分析
作者:
E.L. PINBR
;
N.A. EL-MASRY
;
S.X. LIU
;
S.M. BEDAIR
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
9.
THE DOPING AND CHARACTERIZATION OF ERBIUM-IMPLANTED GaN
机译:
掺EGaN的掺杂与表征
作者:
J.T. Torvik
;
R.J. Feuerstein
;
C. H. Qiu
;
J.I. Pankove
;
F. Namavax
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
10.
STRESS GRADIENTS IN HETEROEPITAXIAL GALLIUM NITRIDE FILMS
机译:
异外延氮化镓膜的应力梯度
作者:
J. W. AGERⅢ
;
G. CONTI
;
L. T. ROMANO
;
C. KISIELOWSKI
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
11.
COMPOSITIONALLY DEPENDENT BAND OFFSETS IN AlN/Ib_xGa_(1-x)N HETEROJUNCTIONS MEASURED BY USING X-RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY
机译:
X射线光电子能谱法测量AlN / Ib_xGa_(1-x)N异质结中的成分相关能带偏移
作者:
R.A. Beach
;
E.C. Piquette
;
R.W. Grant
;
T.C. McGill
;
T.J. Watson Sr.
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
12.
DOPING, ACTIVATION OF IMPURITIES, AND DEFECT ANNIHILATION IN GaN BY HIGH PRESSURE ANNEALING
机译:
高压退火在GaN中进行掺杂,杂质激活和缺陷消除
作者:
T. SUSKI
;
J. JUN
;
M. LESZCZYNSKI
;
H. TEISSEYRE
;
I. GRZEGORY
;
S. POROWSKI
;
J.M. BARANOWSKI
;
A. ROCKET
;
S. STRITE
;
A. STONERT
;
A. TUROS
;
H.H. TAN
;
J.S.WILLIAMS
;
C. JAGADISH
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
13.
GaN DEVICE PROCESSING
机译:
氮化镓器件加工
作者:
S.J. Pearton
;
F. Ren
;
J.C. Zolper
;
R.J. Shul
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
14.
LASER-PROCESSING FOR PATTERNED AND FREE-STANDING NITRIDE FILMS
机译:
激光加工图案化和自持的氮化膜
作者:
M. K. KELLY
;
O. AMBACHER
;
R. DIMITROV
;
H. ANGERER
;
R. HANDSCHUH
;
M. STUTZMANN
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
15.
MOVPE GROWTH OF GaPAsN QUATERNARY ALLOYS LATTICE-MATCHED TO GaP
机译:
GaPAsN晶格匹配GaP的运动增长
作者:
Goshi BIWA
;
Hiroyuki YAGUCHI
;
Kentaro ONABE
;
Yasuhiro SHIRAKI
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
16.
Organometallic Chemical Vapor Deposition of Group-Ill Nitride Thin Films using Single Source Precursors
机译:
使用单源前驱体对III族氮化物薄膜进行有机金属化学气相沉积
作者:
Roland A. Fischer
;
Wolfram Rogge
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
17.
FORMATION OF Ni/Pt/Au OHMIC CONTACTS TO p-GaN
机译:
Ni / Pt / Au与p-GaN的欧姆接触的形成
作者:
JA-SOON JANG
;
HYO-GUN KIM
;
KYUNG-HYUN PARK
;
CHANG-SUB UM
;
IL-KIHAN
;
SUN-HO KIM
;
HEONG-KYU JANG
;
SEONG-JU PARK
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
18.
MATERIALS CHARACTERIZATION ON OPTICALLY PUMPED InGaN/GaN LASERS BY FARFIELD MEASUREMENTS AND FOURIER ANALYSIS OF THE EMISSION SPECTRUM
机译:
原子计量的光学泵浦InGaN / GaN激光材料表征和发射光谱的傅里叶分析
作者:
D. HOFSTETTER
;
R.L. THORNTON
;
L.T. ROMANO
;
D.P. BOUR
;
N.M. JOHNSON
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
19.
High Temperature GaN and AlGaN Photovoltaic Detectors for UV Sensing Applications
机译:
用于紫外线感应应用的高温GaN和AlGaN光伏探测器
作者:
J. M. VAN HOVE
;
P. P. CHOW
;
R. HICKMAN
;
J. J. KLAASSEN
;
A. M. WOWCHAK
;
C. J. POLLEY
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
20.
PULSED LASER ETCHING OF GaN AND AlN FILMS
机译:
GaN和AlN薄膜的脉冲激光刻蚀
作者:
H. Chen
;
R.D. Vispute
;
V. Talyansky
;
R. Enck
;
S.B. Ogale
;
T. Dahmas
;
S. Choopun
;
R.P. Sharma
;
T. Venkatesan
;
A.A. Iliadis
;
L.G. Salamanca-Riba
;
K. A. Jones
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
21.
CHARACTERIZATION OF BULK, POLYCRYSTALLINE INDIUM NITRIDE GROWN AT SUB-ATMOSPHERIC PRESSURES
机译:
亚大气压力下生长的本体,多晶氮化铟的表征
作者:
Jeffrey S. Dyck
;
Kathleen Kash
;
Kwiseon Kim
;
Walter R. L Lambrecht
;
Cliff C. Hayman
;
Alberto Argoitia
;
Michael T. Grossner
;
Weilie L. Zhou
;
John C. Angus
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
22.
HIGH INDIUM CONTENT InGaN FILMS AND QUANTUM WELLS
机译:
高铟含量的InGaN薄膜和量子阱
作者:
W. VAN DER STRICHT
;
K. JACOBS
;
I. MOERMAN
;
P. DEMEESTER
;
L. CONSIDINE
;
E.J. THRUSH
;
J.A CRAWLEY
;
P. RUTERANA
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
23.
CHEMICAL AND STRUCTURAL ANALYSIS OF NITRIDATED SAPPHIRE
机译:
硝化蓝宝石的化学和结构分析
作者:
Y. CHO
;
S. ROUVIMOV
;
Y. KIM
;
Z. LILIENTAL-WEBER
;
E. R. WEBER
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
24.
GROWTH MECHANISM AND STRUCTURE OF A1N FILMS GROWN ON SAPPHIRE BY MOCVD
机译:
MOCVD在蓝宝石上生长的AlN薄膜的生长机理和结构
作者:
Yun-Xin Li
;
L. Salamanca-Riba
;
K. Wongchotigul
;
P. Zhou
;
M.G. Spencer
;
V. K. Jones
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
25.
THE EFFECT OF GROWTH TEMPERATURE ON THE MICROSTRUCTURE OF MOVPE AlN/Si (111)
机译:
生长温度对MoVPE AlN / Si(111)显微组织的影响
作者:
MEI ZHOU
;
N. R. PERKINS
;
E. REHDER
;
T. F. KUECH
;
S. E. BABCOCK
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
26.
THE EFFECT OF Si AND Mg DOPING IN THE MICROSTRUCTURE OF EPITAXIALLY GROWN GaN
机译:
Si和Mg掺杂对表观生长GaN微结构的影响
作者:
M. KATSIKINI
;
E. C. PALOURA
;
M. FIEBER-ERDMANN
;
E. HOLUB-KRAPPE
;
T. D. MOUSTAKAS
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
27.
CONSTANT PRESSURE FIRST-PRINCIPLES MOLECULAR DYNAMICS STUDY ON BN, AlN, AND GaN
机译:
BN,AlN和GaN的恒压第一性原理分子动力学研究
作者:
K. SHIMADA
;
T. SOTA
;
K. SUZUKI
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
28.
Stress Controlled MBE-growth of GaN:Mg and GaN:Si
机译:
应力控制的GaN:Mg和GaN:Si的MBE生长
作者:
Y. Kim
;
R. Klockenbrink
;
C. Kisielowski
;
J. Krueger
;
D. Corlatan
;
Sudhir G.S.
;
Y. Peyrot
;
Y. Cho
;
M. Rubin
;
E. R. Weber
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
29.
ULTRA-SMOOTH ZnO BUFFER LAYERS ON (001) SAPPHIRE
机译:
(001)蓝宝石上的超光滑ZnO缓冲层
作者:
A. J. DREHMAN
;
S.-Q. WANG
;
P. W. YIP
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
30.
ELECTRON MOBILITY OF N-TYPE GaN FILMS
机译:
N型GaN薄膜的电子迁移率
作者:
H.M. NG
;
D. DOPPALAPUDI
;
R. SINGH
;
T.D. MOUSTAKAS
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
31.
MOCVD GROWTH OF GaN ON BULK A1N SUBSTRATES
机译:
块状AlN衬底上GaN的MOCVD生长
作者:
Hong-Qiang Lu
;
Ishwara B. Bhat
;
Byung-Chan Lee
;
Glen A. Slack
;
Leo J. Schowalter
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
32.
EXCITONIC ENHANCED OPTICAL GAIN OF GaN/AlGaN QUANTUM WELLS WITH LOCALIZED STATES
机译:
具有局部化态的GaN / AlGaN量子阱的激发增强光学增益
作者:
TAKESHI UENOYAMA
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
33.
Cross-sectional cathodoluminescence of GaN epitaxial films
机译:
GaN外延膜的截面阴极发光
作者:
M. Herrera Zaldivar
;
P. Fernandez
;
J.Piqueras
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
34.
CARBON AND HYDROGEN INDUCED YELLOW LUMINESCENCE IN GALLIUM NITRIDE GROWN BY HALIDE VAPOR PHASE EPITAXY
机译:
碳和氢诱导卤化物气相表位生长的氮化镓中的黄色发光
作者:
R. Zhang
;
T. F. Kuech
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
35.
CONTROLLING 2D/3D GROWTH OF GaN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY: FROM SUPERLATTICES TO QUANTUM DOTS
机译:
通过分子束外延控制GaN的2D / 3D生长:从超晶格到量子点
作者:
B. DAUDIN
;
G. FEUILLET
;
F. WIDMANN
;
Y. SAMSON
;
J.L. ROUVIERE
;
N. PELEKANOS
;
G. FISHMAN
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
36.
PHOTOLUMINESCENCE QUENCHING SPECTROSCOPY OF TRAP- MEDIATED Er~(3+) EXCITATION MECHANISMS IN Er-IMPLANTED GaN
机译:
注入ErGaN中Er〜(3+)的陷阱激发机理的光致发光猝灭光谱
作者:
S. J. RHEE
;
S. KIM
;
X. LI
;
J. J. COLEMAN
;
S. G. BISHOP
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
37.
THE VELOCITY-FIELD CHARACTERISTIC OF INDIUM NITRIDE
机译:
氮化铟的速度场特征
作者:
S. K. OLEARY
;
B. E. FOUTZ
;
M. S. SHUR
;
L. F. EASTMAN
;
U. V. BHAPKAR
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
38.
INTERBAND RADIATIVE RECOMBINATION CALCULATIONS IN TERNARY NITRIDE SOLID SOLUTIONS
机译:
三元氮化物固溶体的带间辐射重组计算
作者:
A.V. DMITRIEV
;
A.L. ORUZHEINIKOV
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
39.
RAMAN ANALYSIS OF Al_xGa_(1-x)N FILMS
机译:
Al_xGa_(1-x)N薄膜的拉曼分析
作者:
LEAH BERGMAN
;
MITRA DUTTA
;
MICHAEL D. BREMSER
;
OK-HYUN NAM
;
WILLIAM G. PERRY
;
DIMITRI ALEXON
;
ROBERT F. DAVIS
;
CENGIZ M. BALKAS
;
ROBERT J. NEMANICH
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
40.
LOCALIZED EXCITONS IN InGaN
机译:
InGaN中的局部激子
作者:
S. CHICHIBU
;
T. DEGUCHI
;
T. SOTA
;
K. WADA
;
S. NAKAMURA
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
41.
CATHODOLUMINESCENCE STUDIES OF InGaN QUANTUM WELLS
机译:
InGaN量子阱的阴极荧光发光研究
作者:
F. A. PONCE
;
S. A. GALLOWAY
;
W. GOETZ
;
R. S. KERN
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
42.
OPTICAL PROPERTIES OF InGaN/GaN MULTI QUANTUM WELL STRUCTURES
机译:
InGaN / GaN多量子阱结构的光学性质
作者:
J.P. Bergman
;
N. Saksulv
;
J. Dalfors
;
P.O. Holtz
;
B. Monemar
;
H. Amano
;
I. Akasaki
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
43.
VELOCITY OVERSHOOT AND BALLISTIC ELECTRON TRANSPORT IN WURTZITE INDIUM NITRIDE
机译:
伍兹特氮化铟中的速度过冲和弹道电子传输
作者:
B. E. FOUTZ
;
S. K. OLEARY
;
M. S. SHUR
;
L. F. EASTMAN
;
U. V. BHAPKAR
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
44.
STRUCTURAL AND ELECTRONIC PROPERTIES OF GaN/AL INTERFACES
机译:
GaN / AL界面的结构和电子性质
作者:
S. PICOZZI
;
A. CONTINENZA
;
S. MASSIDDA
;
A. J. FREEMAN
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
45.
MAGNETOLUMINESCENCE AND RESONANT ELECTRONIC RAMAN SCATTERING INVESTIGATION OF DONORS AND EXCITONS IN HYDRIDE VPE AND MOCVD GaN
机译:
氢化物VPE和MOCVD GaN中供体和激子的磁致发光和共振电子拉曼散射研究
作者:
B.J. SKROMME
;
J. JAYAPALAN
;
D. WANG
;
O.F. SANKEY
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
46.
GAN PN-STRUCTURES GROWN BY HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY
机译:
氢化物气相滴定法生长的GAN PN结构
作者:
A.E. NTKOLAEV
;
YU.V. MELNIK
;
N.I. KUZNETSOV
;
A.M. STRELCHUK
;
A.P. KOVARSKY
;
K.V. VASSILEVSKI
;
V.A. DMITRIEV
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
47.
LUMINESCENCE PROPERTIES OF Si-DOPED GaN AND EVIDENCE OF COMPENSATING DEFECTS AS THE ORIGIN OF THE YELLOW LUMINESCENCE
机译:
Si掺杂GaN的发光特性和作为黄色发光源的补偿缺陷的证据
作者:
I.D. Goepfert
;
E.F. Schubert
;
J.M. Redwing
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
48.
ATOMIC STRUCTURE OF GRAIN BOUNDARIES AND INTERFACES IN Ⅲ- NITRIDES EPITAXIAL SYSTEMS
机译:
Ⅲ-氮化物表观体系中晶界和界面的原子结构
作者:
S. RUVIMOV
;
Z. LILIENTAL-WEBER
;
J. WASHBURN
;
H. AMANO
;
I. AKASAKI
;
M. KOIKE
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
49.
LATERAL EPITAXY FORMATION MECHANISM AND MICROSTRUCTURE OF SELECTIVELY GROWN GaN STRUCTURES
机译:
选择性生长GaN结构的横向表位形成机理和微观结构
作者:
TSVETANKA ZHELEVA
;
OK-HYUN NAM
;
JASON D. GRIFFIN
;
MICHAEL D. BREMSER
;
ROBERT F. DAVIS
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
50.
A COMBINED TEM/RHEED, SEM/CL STUDY OF EPITAXIAL GAN
机译:
表皮干的TEM / RHEED,SEM / CL组合研究
作者:
P. D. Brown
;
D. M. Tricker
;
Y. Xin
;
T. S. Chengt
;
C. T. Foxont
;
D. Evans
;
S. A. Galloway
;
J. Brock
;
C. J. Humphreys
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
51.
PHOTOLUMINESCENCE EXCITATION STUDY OF LO-PHONON ASSISTED EXCITONIC TRANSITIONS IN GAN
机译:
GAN中LO声子辅助激发跃迁的光致发光激发研究
作者:
S.J. Hwang
;
Y.H. Cho
;
J.J. Song
;
W. Shan
;
Y.C. Chang
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
52.
CUBIC InN INCLUSIONS AS THE CAUSE FOR THE UNUSUALLY WEAK PRESSURE SHIFT OF THE LUMINESCENCE IN InGaN
机译:
CUBIC InN的原因是InGaN的发光异常弱的压力漂移
作者:
Piotr Perlin
;
Bernard A. Weinstein
;
Niels E. Christensen
;
Iza Gorczyca
;
Valentin Iota
;
Tadeusz Suski
;
Przemek Wisniewski
;
M. Osinski
;
P.G. Eliseev
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
53.
STATUS OF NITRIDE BASED LIGHT EMITTING AND LASER DIODES ON SiC
机译:
SiC上氮化物的发光和激光二极管的状态
作者:
K.Doverspike
;
G.E.Bulman
;
S.T.Sheppard
;
H.S.Kong
;
M.Leonard
;
H.Dieringer
;
T.W.Weeks Jr.
;
J.Edmond
;
J.D.Brown
;
J.T.Swindle
;
J.F.Schetzina
;
Y-K Song
;
M.Kuball
;
A.Nurmikko
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
54.
OPTICAL GAlN IN BGaN LATTICE-MATCHED TO (0001) 6H-SiC
机译:
匹配(0001)6H-SiC的BGaN晶格中的光学镓
作者:
T. HONDA
;
M. TSUBAMOTO
;
Y. KUGA
;
H. KAWANISHI
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
55.
Ni/Si-BASED OHMIC CONTACTS TO p- AND n-TYPE GaN
机译:
Ni / Si基与p型和n型GaN的热接触
作者:
E KAMINSKA
;
A.PIOTROWSKA
;
A. BARCZ
;
M.GUZIEWICZ
;
S.KASJANIUK
;
M.D.BREMSER
;
R.F.DAVIS
;
E.DYNOWSKA
;
S.KWIATKOWSKI
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
56.
Ohmic contact to GaN grown by MOCVD
机译:
与通过MOCVD生长的GaN的欧姆接触
作者:
Dae-Woo Kim
;
Hong Koo Baik
;
Cha Yeon Kim
;
Sung Woo Kim
;
Chang Hee Hong
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
57.
AGING OF InGaN/AlGaN/GaN LIGHT-EMITTING DIODES
机译:
InGaN / AlGaN / GaN发光二极管的老化
作者:
A.E.YUNOVICH
;
A.N.KOVALEV
;
V.E.KUDRYASHOV
;
F.I.MANYAKHIN
;
A.N.TURKIN
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
58.
ATOMIC SCALE ALUMINUM AND STRAIN DISTRIBUTION IN A GAN/AL_xGA_(1-x)N HETEROSTRUCTURE
机译:
GAN / AL_xGA_(1-x)N异质结构中的原子尺度铝和应变分布
作者:
CHRISTIAN KISIELOWSKI
;
OLAF SCHMIDT
;
JINWEI YANG
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
59.
PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES OF GaN/AlGaN MULTIPLE QUANTUM WELL MICRODISKS
机译:
GaN / AlGaN多量子阱微盘的光致发光特性
作者:
R. A. MAIR
;
K. C. ZENG
;
J. Y. LIN
;
H. X. JIANG
;
B. ZHANG
;
L. DAI
;
H. TANG
;
A. BOTCHKAREV
;
W. KIM
;
H. MORKOC
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
60.
WELL THICKNESS AND DOPING EFFECTS, AND ROOM TEMPERATURE EMISSION MECHANISMS IN InGaN/GaN AND GaN/AlGaN MULTIPLE QUANTUM WELLS
机译:
InGaN / GaN和GaN / AlGaN多量子阱中的阱厚度和掺杂效应,以及室温辐射机理
作者:
K.C. Zeng
;
M.Smith
;
J. Y. Lin
;
H. X. Jiang
;
H. Tang
;
A. Salvador
;
W. Kim
;
H. Morkoc
;
M. Asif Khan
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
61.
DESIGN AND CHARACTERIZATION OF A UHV ARCJET NITROGEN SOURCE
机译:
特高压电弧射流氮源的设计与表征
作者:
R.N. BICKNELL-TASSIUS
;
P.W. DEELMAN
;
P.J. GRUNTHANER
;
F.J. GRUNTHANER
;
C. E. BRYSON
;
E. SNYDER
;
J. L. GIULIANI
;
J. P. APRUZES
;
P. KEPPLE
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
62.
TEM STUDY OF INTERFACES AND DEFECTS IN MOCVD-GROWN GaN ON SiC ON SIMOX
机译:
SIMOX上SiC上MOCVD生长GaN中的界面和缺陷的TEM研究
作者:
W. L. Zhou
;
P. Pirouz
;
F. Namavar
;
P. C. Colter
;
M. Yoganathan
;
M. W. Leksono
;
J. I. Pankov
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
63.
ELEMENTAL ANALYSIS ON GROUP-Ⅲ NITRIDES USING HEAVY ION ERD
机译:
重离子ERD对Ⅲ族氮化物的元素分析
作者:
G. DOLLINGER
;
S. KARSCH
;
O. AMBACHER
;
H. ANGERER
;
A. BERGMAIER
;
O. SCHMELMER
;
M. STUTZMANN
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
64.
OBSERVATION OF NATIVE Ga VACANCIES IN GaN BY POSITRON ANNIHILATION
机译:
正电子AN没法观察GaN中的天然Ga空位
作者:
K. SAARINEN
;
T. LAINE
;
S. KUISMA
;
J. NISSILA
;
P. HAUTOJARVI
;
L. DOBRZYNSKI
;
J. M. BARANOWSKI
;
K. PAKULA
;
R. STEPNIEWSKI
;
M. WOJDAK
;
A. WYSMOLEK
;
T. SUSKI
;
M. LESZCZYNSKI
;
I. GRZEGORY
;
S. POROWSKI
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
65.
STRUCTURE AND PROPERTIES OF Ⅲ-N SEMICONDUCTOR THIN FILMS GROWN AT LOW TEMPERATURES BY N-RADICAL-ASSISTED PULSED LASER DEPOSITION
机译:
N自由基激光脉冲沉积低温生长的Ⅲ-N半导体薄膜的结构与性能
作者:
F.E. FERNANDEZ
;
M. PUMAROL
;
A. MARTINEZ
;
V. PANTOJAS
;
M. GARCIA
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
66.
PULSED LASER DEPOSITION OF HIGHLY CRYSTALLINE GaN FILMS ON SAPPHIRE
机译:
在蓝宝石上脉冲激光沉积高结晶度GaN膜
作者:
R.D. Vispute
;
V. Talyansky
;
S. Chupoon
;
R. Enck
;
T. Dahmas
;
S.B. Ogale
;
R.P. Sharma
;
T. Venkatesan
;
Y.X. Li
;
L.G. Salamanca-Riba
;
A. A. Iliadis
;
M. He
;
X. Tang
;
J. B. Halpern
;
M.G. Spencer
;
M. A. Khan
;
K.A. Jones
;
V. Belkov V. Botnaryuk
;
I. Diakonu
;
L. Fedorov
;
Y. Zhilyaev
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
67.
THE FIRST NITRIDE LASER DIODE ON SILICON CARBIDE
机译:
碳化硅上的第一氮化物激光二极管
作者:
J.D. BROWN
;
J.T. SWINDELL
;
M.A.L. JOHNSON
;
ZHONGHAI YU
;
J.F. SCHETZINA
;
G.E. BULMAN
;
K. DOVERSPIKE
;
S.T. SHEPPARD
;
T.W. WEEKS
;
M. LEONARD
;
H.S. KONG
;
H. DIERINGER
;
C. CARTER
;
J.A. EDMOND
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
68.
InGaN LASER DIODES GROWN ON SiC SUBSTRATE USING LOW-PRESSURE METAL-ORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY
机译:
低压金属有机气相相表观生长在SiC基体上的InGaN激光二极管
作者:
A. Kuramata
;
K. Domen
;
R. Soejima
;
K. Horino
;
S. Kubota
;
T. Tanahashi
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
69.
CRYSTAL DEFECTS IN GaN ON (0001) SAPPHIRE
机译:
GaN ON(0001)蓝宝石中的晶体缺陷
作者:
MATTHEW T. JOHNSON
;
ZHIGANG MAO
;
C. BARRY CARTER
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
70.
SURFACE CHARACTERIZATION OF GaN FORMATION ON GaAs(100) USING AMMONIA
机译:
氨气在GaAs(100)上形成GaN的表面表征
作者:
Chul Huh
;
Sook Ahn
;
Jeong Yeul Han
;
Keum Jae Cho
;
Jae Myung Seo
;
Seong-Ju Park
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
71.
EPITAXIAL GROWTH AND PROPERTIES OF Mg-DOPED GaN FILM PRODUCED BY ATMOSPHERIC MOCVD SYSTEM WITH THREE LAYERED LAMIMAR FLOW GAS INJECTION
机译:
三层层流气体注入大气化学气相沉积系统制备的掺Mg GaN薄膜的表观生长及性能
作者:
N. Akutsu
;
H. Tokunaga
;
I. Waki
;
A.Yamaguchi
;
K. Matsumoto
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
72.
THE EFFECT OF THE NUCLEATION LAYER ON THE LOW TEMPERATURE GROWTH OF GaN USING A REMOTE PLASMA ENHANCED - ULTRAHIGH VACUUM CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (RPE-UHVCVD)
机译:
远程等离子体增强的超高真空化学气相沉积法(RPE-UHVCVD)形核层对GaN低温生长的影响
作者:
KYOUNG-KOOK KIM
;
DONG-JUN KIM
;
JONG-SIK PAEK
;
JE-HEE JO
;
HYO-GUN KIM
;
TAE-YEON SEONG
;
SEONG-JU PARK
会议名称:
《》
|
1997年
73.
SUBSTRATE SURFACE TREATMENTS AND 'CONTROLLED CONTAMINATION' IN GaN / SAPPHIRE MOCVD
机译:
GaN /蓝宝石MOCVD中的基体表面处理和“受控污染”
作者:
YUVAL GOLAN
;
PAUL FINI
;
STEVEN P. DENBAARS
;
JAMES S. SPECK
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
74.
CHARACTERIZATIONS OF MG IMPLANTED GAN
机译:
MG植入GAN的特性
作者:
Gou-Chung Chi
;
B. J. Pong
;
C. J. Pan
;
Y. C. Teng
;
C. H. Lee
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
75.
Theory of Ga, N and H terminated GaN (0001)/(0001) surfaces
机译:
Ga,N和H端接的GaN(0001)/(0001)表面的理论
作者:
J. Eisner
;
M.Haugk
;
R. Gutierrez
;
Th. Frauenheim
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
76.
UNIAXIAL STRESS EFFECTS ON VALENCE BAND STRUCTURES OF GaN
机译:
单轴应力对GaN价带结构的影响
作者:
A. A. YAMAGUCHI
;
Y. MOCHIZUKI
;
C. SASAOKA
;
A. KIMURA
;
M. NIDO
;
A. USUI
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
77.
Simulation of Vacancy Pairs in GaN Using Tight-Binding Molecular Dynamics
机译:
使用紧密结合分子动力学模拟GaN中的空位对
作者:
Derrick E. Boucher
;
Zoltan A. Gal
;
Gary G. DeLeo
;
W. Beall Fowler
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
78.
Energy Dependent Growth Rates of AlN using Pulsed Supersonic Jets
机译:
脉冲超声射流对AlN的能量依赖性增长率
作者:
V. W. BALLAROTTO
;
M. E. KORDESCH
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
79.
APPLICATION OF BLUE DIODE LASERS TO PRINTING
机译:
蓝激光二极管在印刷中的应用
作者:
R. D. BRINGANS
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
80.
InGaN DOUBLE-HETEROSTRUCTURES AND DH-LEDS ON HVPE GaN-ON-SAPPHIRE SUBSTRATES
机译:
HVPE蓝宝石衬底上的InGaN双异质结构和DH-LED
作者:
K.S. Boutros
;
J.S. Flynn
;
V. Phanse
;
R.P. Vaudo
;
G.M. Smith
;
J.M. Redwing
;
T.R. Tolliver
;
N.G. Anderson
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
81.
STRUCTURAL PROPERTIES OF NITRIDES GROWN BY OMVPE ON SAPPHIRE SUBSTRATE
机译:
OMVPE在蓝宝石基质上生长的氮化物的结构特性
作者:
H. AMANO
;
T. TAKEUCHI
;
S. YAMAGUCHI
;
S. NITTA
;
M. KARIYA
;
M. IWAYA
;
C. WETZEL
;
I. AKASAKI
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
82.
GROWTH OF GAN ON LITHIUM GALLATE SUBSTRATES FOR DEVELOPMENT OF A GaN THIN COMPLIANT SUBSTRATE
机译:
镓在锂镓酸盐基体上的生长,用于开发GaN薄膜兼容基质。
作者:
W. A. DOOLITTLE
;
T. KROPEWNICKI
;
C. CARTER-COMAN
;
S. STOCK
;
P. KOHL
;
N. M. JOKERST
;
R. A. METZGER
;
S. KANG
;
K. LEE
;
G. MAY
;
A. S. BROWN
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
83.
PROBING THE INDIUM MOLE FRACTION IN AN InGaN EPILAYER BY DEPTH RESOLVED CATHODOLUMINESCENCE
机译:
深度分辨阴极发光法研究InGaN外延层中的铟摩尔分数
作者:
C. Trager-Cowan
;
P. G. Middleton
;
A. Mohammed
;
K. P. ODonnell
;
W. Van der Stricht
;
I. Moerman
;
P. Demeester
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
84.
THEORETICAL STUDY OF NATIVE POINT DEFECTS IN AlN AND InN
机译:
AlN和InN原点缺陷的理论研究
作者:
C. STAMPFL
;
CHRIS G. VAN DE WALLE
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
85.
WIDE GaN STRIPES BY LATERAL GROWTH IN METALORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY
机译:
金属气相相表观横向生长的宽GaN带
作者:
A. KIMURA
;
C. SASAOKA
;
A. SAKAI
;
A. USUI
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
86.
LOCALIZED DONORS IN GaN: SPECTROSCOPY USING LARGE PRESSURES
机译:
GaN中的局部供体:使用大压力的光谱
作者:
C. WETZEL
;
H. AMANO
;
I. AKASAKI
;
T. SUSKI
;
J.W. AGER
;
E.R. WEBER
;
E.E. HALLER
;
B.K. MEYER
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
87.
INTERACTIONS OF LO PHONONS WITH BOUND EXCITONS IN HOMOEPITAXIAL GaN
机译:
同质GaN中LO声子与束缚激子的相互作用。
作者:
K. P. Korona
;
A. Wysmolek
;
J. M. Baranowski
;
K. Pakula
;
J. P. Bergman
;
B. Monemar
;
I. Grzegory
;
S. Porowski
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
88.
CHARACTERISTICS OF GaN SCHOTTKY DIODE GROWN ON SAPPHIRE SUBSTRATE BY MOCVD
机译:
用MOCVD法在蓝宝石衬底上生长GaN肖特基二极管的特性。
作者:
T. EGAWA
;
H. ISHIKAWA
;
K. YAMAMOTO
;
T. JIMBO
;
M. UMENO
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
89.
GALLIUM NITRIDE MULTIOPERATE OPTOELECTRONIC DEVICES
机译:
氮化镓多操作光电器件
作者:
V.G. SIDOROV
;
A.G. DREHUK
;
D.V. SIDOROV
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
90.
InGaN/GaN/AlGaN-BASED LASER DIODES WITH AN ESTIMATED LIFETIME OF LONGER THAN 10,000 HOURS
机译:
预计使用寿命超过10,000小时的InGaN / GaN / AlGaN基激光二极管
作者:
SHUJI NAKAMURA
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
91.
Si AND Mg DOPED GaN LAYERS GROWN BY GAS SOURCE MOLECULAR BEAM EPITAXY USING AMMONIA
机译:
利用氨气源分子束表观生长的Si和Mg掺杂GaN层
作者:
N. GRANDJEAN
;
J. MASSIES
;
M. LEROUX
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
92.
Photoluminescence characterization of p-type GaN:Mg
机译:
p型GaN:Mg的光致发光表征
作者:
Dorina Corlatan
;
Joachim Krueger
;
Christian Kisielowski
;
Ralf Klockenbrink
;
Yihwan Kim
;
Sudhir G.S. Yann Peyrot
;
Michael Rubin
;
Eicke R. Weber
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
93.
Acceptor Binding Energies in GaN and AlN
机译:
GaN和AlN中的受体结合能
作者:
FRANCISCO MIRELES
;
SERGIO E. ULLOA
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
94.
AB-INITIO CALCULATIONS OF SECOND ORDER OPTICAL RESPONSE FUNCTIONS IN WURTZITE GAN AND ALN, AND THEIR SHORT PERIOD SUPERLATTICES
机译:
伍尔兹特甘和阿尔恩二阶光学响应函数的绝对从头计算以及它们的短周期超晶格
作者:
Sergey N. Rashkeev
;
Walter R. L. Lambrecht
;
B. Segall
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
95.
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE OF GaN/Ga_(0.93)Al_(0.07)N QUANTUM WELLS
机译:
GaN / Ga_(0.93)Al_(0.07)N量子阱的时间分辨光致发光
作者:
P. LEFEBVRE
;
J. ALLEGRE
;
B. GIL
;
A. KAVOKINE
;
H. MATHIEU
;
W. KIM
;
A. SALVADOR
;
A. BOTCHKAREV
;
H. MORKOC
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
96.
MONTE CARLO CALCULATION OF HIGH- AND LOW-FIELD Al_xGa_(1-x)N ELECTRON TRANSPORT CHARACTERISTICS
机译:
高低场Al_xGa_(1-x)N电子传输特征的蒙特卡罗计算
作者:
J.D. Albrecht
;
R. Wang
;
P.P. Ruden
;
M. Farahmand
;
E. Bellotti
;
K.F. Brennan
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
97.
An Investigation of the Electron Escape Time within a Biased AlGaN/GaN Quantum Well
机译:
偏置的AlGaN / GaN量子阱中电子逃逸时间的研究
作者:
Kevin R. Lefebvre
;
A. F. M. Anwar
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
98.
THEORY OF INTERFACES AND SURFACES OF WIDE-GAP NITRIDES
机译:
宽间隙氮化物的界面和表面理论
作者:
KRZYSZTOF RAPCEWICZ
;
MARCO BUONGIORNO NARDELLI
;
CLAUDIA BUN- GARO
;
E.L. BRIGGS
;
J. BERNHOLC
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
99.
SELECTIVE AREA GROWTH OF GaN BY MOVPE AND HVPE
机译:
MOVPE和HVPE选择性生长GaN
作者:
K. Hiramatsu
;
H. Matsushima
;
T. Shibata
;
N. Sawaki
;
K. Tadatomo
;
H. Okagawa
;
Y. Ohuchi
;
Y. Honda
;
T. Matsue
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
100.
THERMAL EXPANSION OF GaN AND AlN
机译:
GaN和AlN的热膨胀
作者:
KAI WANG
;
ROBERT R. REEBER
会议名称:
《Nitride semiconductors》
|
1997年
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