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INTERBAND RADIATIVE RECOMBINATION CALCULATIONS IN TERNARY NITRIDE SOLID SOLUTIONS

机译：三元氮化物固溶体的带间辐射重组计算

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摘要

We calculated for the first time the interband radiative recombination rate R in the wide-gap semiconductors GaN, InN and AlN crystallizing in the hexagonal wurtzite structure, and in ternary In_xGa_yAl_(1-x-y)N alloys including also binary solid solutions Ga_xAl_(1-x)N, In_xAl_(1-x)N and Ga_xIn_(1-x)N. All our calculations were based on experimental data on energy band structures and optical absorption spectra of the nitride materials. The radiative recombination coefficient B defined according to the equation R = Bnp, n and p being the carrier densities, is higher in InN and lower in GaN, taking intermediate values in AlN. For example, B=(2.7, 0.4 and 0.15) × 10~(-10)cm~3/s for InN, AlN and GaN, correspondingly. The carrier lifetime in GaN equals 60ns at 300K and n=1 × 10~(17)cm~(-3). The radiative recombination coefficient increases with the concentration of indium nitride in the ternary alloys.
机译：我们首次计算了在六方纤锌矿结构中结晶的宽隙半导体GaN，InN和AlN中以及在还包括二元固溶体Ga_xAl_（1- x）N，In_xAl_（1-x）N和Ga_xIn_（1-x）N。我们所有的计算均基于氮化物材料的能带结构和光吸收光谱的实验数据。根据方程式R = Bnp定义的辐射复合系数B，n和p为载流子密度，在InN中较高，在GaN中较低，在AlN中取中间值。例如，对于InN，AlN和GaN，B =（2.7、0.4和0.15）×10〜（-10）cm〜3 / s。 GaN中的载流子寿命在300K时等于60ns，n = 1×10〜（17）cm〜（-3）。辐射复合系数随三元合金中氮化铟浓度的增加而增加。

著录项

  • 来源
    《Nitride semiconductors》|1997年|851-855|共6页
  • 会议地点 Boston MA(US)
  • 作者

    A.V. DMITRIEV; A.L. ORUZHEINIKOV;

  • 作者单位

    Department of Low Temperature Physics, Faculty of Physics, M.V.Lomonosov Moscow State University, Moscow, 119899, Russia;

    Department of Low Temperature Physics, Faculty of Physics, M.V.Lomonosov Moscow State University, Moscow, 119899, Russia;

  • 会议组织
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 材料;
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