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THE VELOCITY-FIELD CHARACTERISTIC OF INDIUM NITRIDE

机译：氮化铟的速度场特征

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摘要

We determine the velocity-field characteristic of wurtzite indium nitride using an ensemble Monte Carlo approach. It is found that indium nitride exhibits an extremely high room temperature peak drift velocity, 4.2 × 10~7 cm/s, at a doping concentration of 1 × 10~(17) cm~(-3). This exceeds that of gallium nitride, 2.9 × 10~7 cm/s, by approximately 40 %. For our nominal parameter selections, the saturation drift velocity of indium nitride is found to be 1.8 × 10~7 cm/s. The device performance of this material, as characterized by the cut-off frequency, is found to superior to that of gallium nitride, gallium arsenide, and silicon.
机译：我们使用整体蒙特卡罗方法确定纤锌矿型氮化铟的速度场特征。发现氮化铟在1×10〜（17）cm〜（-3）的掺杂浓度下表现出极高的室温峰值漂移速度，为4.2×10〜7cm / s。这比氮化镓的2.9×10〜7 cm / s高出约40％。对于我们的标称参数选择，发现氮化铟的饱和漂移速度为1.8×10〜7 cm / s。发现该材料的器件性能（以截止频率为特征）优于氮化镓，砷化镓和硅。

著录项

  • 来源
    《Nitride semiconductors》|1997年|845-850|共6页
  • 会议地点 Boston MA(US)
  • 作者

    S. K. OLEARY; B. E. FOUTZ; M. S. SHUR; L. F. EASTMAN; U. V. BHAPKAR;

  • 作者单位

    Department of Electrical, Computer, and Systems Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, New York 12180-3590;

    School of Electrical Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853;

    Department of Electrical, Computer, and Systems Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, New York 12180-3590;

    School of Electrical Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853;

    Naval Surface Warfare Center, Code T44, Building 1470, Dahlgren, Virginia 22448;

  • 会议组织
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 材料;
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