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1.
Study of efficiency droop in InGaN/GaN light emitting diodes with Ⅴ-shape pits
机译:
具有Ⅴ型凹坑的InGaN / GaN发光二极管的效率下降的研究
作者:
Chiao-Yun Chang
;
Heng Li
;
Tien-Chang Lu
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
Ⅴ-pit defect;
internal quantum efficiency (IQE);
droop efficency;
2.
Bipolar Monte Carlo simulation of electrons and holes in Ⅲ-N LEDs
机译:
Ⅲ-NLED中电子和空穴的双极蒙特卡罗模拟
作者:
Pyry Kivisaari
;
Toufik Sadi
;
Jani Oksanen
;
Jukka Tulkki
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
Ⅲ-Nitride LEDs;
Monte Carlo simulations;
Efficiency droop;
Carrier transport;
Hot carriers;
Auger recombination;
3.
Semion-polar nitride quantum wells for high-efficient light emitters
机译:
半/非极性氮化物量子阱,用于高效发光体
作者:
Mitsuru Funato
;
Yoichi Kawakami
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
Semipolar;
Nonpolar;
InGaN;
AlGaN;
Quantum wells;
4.
HVPE growth of Al_xGa_(1-x)N templates for UV-LED applications
机译:
用于UV-LED应用的Al_xGa_(1-x)N模板的HVPE生长
作者:
Chi-Tsung Tsai
;
Jia-Hao Liang
;
Tsung-Yen Tsai
;
Ray-Hua Horng
;
Dong-Sing Wuu
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
AlGaN template;
HVPE;
ultraviolet;
LED;
optical;
transmittance;
internal quantum efficiency;
5.
Optical properties and band structure of highly-doped gallium nitride
机译:
高掺杂氮化镓的光学性质和能带结构
作者:
Ruediger Goldhahn
;
Karsten Lange
;
Martin Feneberg
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
GaN;
dielectric function;
effective electron mass;
high-electron density;
L-valley of the conduction band;
6.
Temperature-dependent time-resolved photoluminescence measurements of (1-101)-oriented semi-polar AlGaN/GaN MQWs
机译:
(1-101)取向的半极性AlGaN / GaN MQW的温度相关时间分辨光致发光测量
作者:
Daniel Rosales
;
Bernard Gil
;
Morteza Monavarian
;
Fan Zhang
;
Serdal Okur
;
Natalia Izyumskaya
;
Vitaliy Avrutin
;
UEmit OEzguer
;
Hadis Morkoc
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
GaN;
AlGaN;
quantum wells;
metal-organic chemical vapor deposition;
semi-polar orientation;
quantum confined Stark effect;
UV LEDs;
7.
Photoluminescence behavior of amber light emitting GaInN-GaN heterostructures
机译:
琥珀色发光GaInN-GaN异质结构的光致发光行为
作者:
Huong Thi Ngo
;
Daniel Rosales
;
Bernard Gil
;
Pierre Valvin
;
Benjamin Damilano
;
Kaddour Lekhal
;
Philippe de Mierry
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
Wide band gap semiconductors;
nitrides;
visible light emitters;
photoluminescence;
8.
Stress related aspects of GaN technology physics
机译:
GaN技术物理学中与应力有关的方面
作者:
Ephraim Suhir
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
GaN technology;
GaN assemblies;
analytical modeling;
thermal mismatch;
lattice mismatch;
stress analysis;
9.
Photocathode electron beam sources using GaN and InGaN with NEA surface
机译:
使用具有NEA表面的GaN和InGaN的光电阴极电子束源
作者:
T. Nishitani
;
T. Maekawa
;
M. Tabuchi
;
T. Meguro
;
Y. Honda
;
H. Amano
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
Photocathode;
NEA surface;
Electron beam;
GaN;
InGaN;
10.
Present and future of GaN power devices and their applications
机译:
GaN功率器件及其应用的当前和未来
作者:
Daisuke Ueda
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
GaN;
NSJ;
Natural super junction;
GIT;
Gate Injection Transistor;
Bidirectional switch;
Drive-by Microwave;
11.
Direct comparison of GaN-based e-mode architectures (recessed MISHEMT and p-GaN HEMTs) processed on 200mm GaN-on-Si with Au-free technology
机译:
直接比较采用无金技术在200mm硅基GaN上处理的基于GaN的e-模式架构(嵌入式MISHEMT和p-GaN HEMT)
作者:
Denis Marcon
;
Marleen Van Hove
;
Brice De Jaeger
;
Niels Posthuma
;
Dirk Wellekens
;
Shuzhen You
;
Xuanwu Kang
;
Tian-Li Wu
;
Maarten Willems
;
Steve Stoffels
;
Stefaan Decoutere
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
GaN;
e-mode;
200mm GaN-on-Si;
Au free;
12.
Enhancement of AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistor Off-State Drain Breakdown Voltage via Backside Proton Irradiation
机译:
通过背面质子辐照增强AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管截止态漏极击穿电压
作者:
F. Ren
;
Y.-H. Hwang
;
S. J. Pearton
;
Erin Patrick
;
Mark E. Law
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
13.
Trapping processes related to iron and carbon doping in AlGaN/GaN power HEMTs
机译:
与AlGaN / GaN功率HEMT中的铁和碳掺杂有关的陷阱工艺
作者:
M. Meneghini
;
D. Bisi
;
I. Rossetto
;
C. De Santi
;
A. Stocco
;
O. Hilt
;
E. Bahat Treidel
;
J. Wuerfl
;
F. Rampazzo
;
G. Meneghesso
;
E. Zanoni
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
GaN;
HEMT;
trapping;
defects;
doping;
14.
Nonradiative recombination mechanisms in InGaN/GaN light-emitting diodes analyzed by various device characterization techniques
机译:
通过各种器件表征技术分析的InGaN / GaN发光二极管中的非辐射复合机理
作者:
Dong-Soo Shin
;
Dong-Pyo Han
;
Dong-Guang Zheng
;
Chan-Hyoung Oh
;
Hyunsung Kim
;
Kyu-Sang Kim
;
Jong-In Shim
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
Light-emitting diode;
nonradiative recombination;
defect;
InGaN;
temperature-dependent electroluminescence;
15.
Enhancement of coherent acoustic phonons in InGaN multiple quantum wells
机译:
InGaN多量子阱中相干声子的增强
作者:
Shopan Hafiz
;
Fan Zhang
;
Morteza Monavarian
;
Vitaliy Avrutin
;
Hadis Morkoc
;
UEmit OEzguer
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
InGaN MQWs;
coherent acoustic phonons;
time-resolved differential transmission;
phonon cavity;
16.
Strong exciton-photon coupling in hybrid InGaN-based microcavities on GaN substrates
机译:
GaN衬底上基于InGaN的混合微腔中的强激子-光子耦合
作者:
Serdal Okur
;
Alexander Franke
;
Fan Zhang
;
Vitaliy Avrutin
;
Hadis Morkoc
;
Frank Bertram
;
Juergen Christen
;
UEmit OEzguer
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
Vertical cavities;
polaritons;
InGaN;
17.
High efficiency UV LEDs on sapphire
机译:
蓝宝石上的高效UV LED
作者:
Max Shatalov
;
Rakesh Jain
;
Alex Dobrinsky
;
Wenhong Sun
;
Yuri Bilenko
;
Jinwei Yang
;
Michael Shur
;
Remis Gaska
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
ultraviolet;
light-emitting;
efficiency;
nitride;
18.
Current spreading in UV-C LEDs emitting around 235 nm
机译:
发射约235 nm的UV-C LED中的电流扩散
作者:
Mickael Lapeyrade
;
Florian Eberspach
;
Johannes Glaab
;
Neysha Lobo-Ploch
;
Christoph Reich
;
Christian Kuhn
;
Martin Guttmann
;
Tim Wernicke
;
Frank Mehnke
;
Sven Einfeldt
;
Arne Knauer
;
Markus Weyers
;
Michael Kneissl
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
UV-C LED;
geometry;
AlGaN;
current spreading;
MOVPE;
ELO AlN/sapphire;
19.
Efficiency droop in nitride LEDs revisited: Impact of excitonic recombination processes
机译:
重新审视氮化物LED的效率下降:激子复合过程的影响
作者:
A. Hangleiter
;
T. Langer
;
M. Gerhard
;
D. Kalincev
;
A. Kruse
;
H. Bremers
;
U. Rossow
;
M. Koch
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
group-Ⅲ nitrides;
quantum wells;
time-resolved photoluminescence;
efficiency droop;
20.
Ammonothermal Growth of Polar and Non-polar Bulk GaN Crystal
机译:
极性和非极性块状GaN晶体的氨热生长
作者:
Yutaka Mikawa
;
Takayuki Ishinabe
;
Shinichiro Kawabata
;
Tae Mochizuki
;
Atsuhiko Kojima
;
Yuji Kagamitani
;
Hideo Fujisawa
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
acidic ammonothermal;
bulk GaN growth;
supercritical ammonia;
SCAAT;
non-polar;
21.
Homoepitaxial HVPE GaN growth on non- and semi-polar seeds
机译:
非极性和半极性种子上同质外延HVPE GaN的生长
作者:
M. Amilusik
;
T. Sochacki
;
B. Lucznik
;
M. Fijalkowski
;
M. Iwinska
;
J.L. Weyher
;
E. Grzanka
;
P.Krupczynska
;
A. Khachapuridze
;
I. Grzegory
;
M. Bockowski
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
HVPE;
GaN;
non-polar GaN;
semi-polar GaN;
homoepitaxy;
22.
Identification of point defects in HVPE-grown GaN by steady-state and time-resolved photoluminescence
机译:
通过稳态和时间分辨光致发光识别HVPE生长的GaN中的点缺陷
作者:
M. A. Reshchikov
;
D. O. Demchenko
;
A. Usikov
;
H. Helava
;
Yu. Makarov
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
photoluminescence;
point defects;
GaN;
HVPE;
23.
Study of Interface State Trap Density on Characteristics of MOS-HEMT
机译:
MOS-HEMT特性的界面态陷阱密度研究
作者:
Ming-Chun Tseng
;
Ming-Hsien Hung
;
Dong-Sing Wuu
;
Ray-Hua Horng
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
chemical treatment;
capacitors;
high electron mobility transistor;
interface state trap densities;
24.
Ordered arrays of InGaN/GaN dot-in-a-wire nanostructures as single photon emitters
机译:
InGaN / GaN点对点纳米结构的有序阵列作为单光子发射器
作者:
Snezana Lazic
;
Ekaterina Chernysheva
;
Zarko Gacevic
;
Noemi Garcia-Lepetit
;
Herko P. van der Meulen
;
Marcus Mueller
;
Frank Bertram
;
Peter Veit
;
Juergen Christen
;
Almudena Torres-Pardo
;
Jose M. Gonzalez Calbet
;
Enrique Calleja
;
Jose M. Calleja
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
GaN/InGaN nanowire-quantum dots;
single photon source;
polarized emission;
25.
Optical properties of small GaN/Al_(0.5)Ga_(0.5)N quantum dots grown on (11-22) GaN templates
机译:
在(11-22)GaN模板上生长的小GaN / Al_(0.5)Ga_(0.5)N量子点的光学性质
作者:
Julien Selles
;
Daniel Rosales
;
Bernard Gil
;
Guillaume Cassabois
;
Thierry Guillet
;
Julien Brault
;
Benjamin Damilano
;
Philippe Vennegues
;
Philippe de Mierry
;
Jean Massies
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
GaN;
AlGaN;
self-assembled nanostructures;
molecular beam epitaxy;
polar and semi-polar orientations;
quantum confined Stark effect;
UV LEDs;
26.
InGaN Power Laser Chips in a Novel 50W Multi-Die Package
机译:
采用新型50W多管芯封装的InGaN功率激光芯片
作者:
Andreas Loeffler
;
Christoph Eichler
;
Jens Mueller
;
Sven Gerhard
;
Bernhard Stojetz
;
Soenke Tautz
;
Clemens Vierheilig
;
Jelena Ristic
;
Adrian Avramescu
;
Markus Horn
;
Thomas Hager
;
Christoph Walter
;
Thomas Dobbertin
;
Harald Koenig
;
Uwe Strauss
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
InGaN;
c-plane;
blue laser;
injection efficiency;
output power;
power conversion efficiency;
multi-die package;
27.
Advances in single mode and high power AlGaInN laser diode technology for systems applications
机译:
用于系统应用的单模大功率AlGaInN激光二极管技术的进步
作者:
Stephen P. Najda
;
Piotr Perlin
;
Tadek Suski
;
Lujca Marona
;
Mike Bockowski
;
Mike Leszczynski
;
Przemek Wisniewski
;
Robert Czernecki
;
Robert Kucharski
;
Grzegorz Targowski
;
Julita Smalc-Koziorowska
;
Szymon Stanczyk
;
Scott Watson
;
Antony E.Kelly
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
GaN laser;
GaN array;
GaN systems;
28.
Ultralow threshold electrically injected AlGaN nanowire ultraviolet lasers on Si
机译:
Si上超低阈值电注入AlGaN纳米线紫外激光器
作者:
K. H. Li
;
X. Liu
;
S. Zhao
;
Q. Wang
;
Z. Mi
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
UV random lasing;
ultralow threshold;
AlGaN nanowire;
electrical injection;
29.
Status and future of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers
机译:
GaN基垂直腔面发射激光器的现状与未来
作者:
Daniel Feezell
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
Gallium nitride;
GaN;
vertical-cavity surface-emitting laser;
VCSEL;
nonpolar;
m-plane;
photoelectrochemical etching;
30.
High power UV-B LEDs with long lifetime
机译:
大功率UV-B LED,使用寿命长
作者:
Jens Rass
;
Tim Kolbe
;
Neysha Lobo Ploch
;
Tim Wernicke
;
Frank Mehnke
;
Christian Kuhn
;
Johannes Enslin
;
Martin Guttmann
;
Christoph Reich
;
Anna Mogilatenko
;
Johannes Glaab
;
Christoph Stoelmacker
;
Mickael Lapeyrade
;
Sven Einfeldt
;
Markus Weyers
;
Michael Kneissl
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
UV-LED;
AlGaN;
lifetime;
UV-B;
electroluminescence;
MOVPE;
31.
Progress of high-power deep-ultraviolet LEDs
机译:
大功率深紫外LED的研究进展
作者:
A. Fujioka
;
K. Asada
;
H. Yamada
;
T. Ohtsuka
;
T. Ogawa
;
T. Kosugi
;
D. Kishikawa
;
T. Mukai
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
light-emitting diode;
deep-ultraviolet;
AlGaN;
nitride semiconductor;
280 nm;
32.
Spatial variations of optical properties of semipolar InGaN quantum wells
机译:
半极性InGaN量子阱光学特性的空间变化
作者:
Saulius Marcinkevicius
;
Kristina Gelzinyte
;
Ruslan Ivanov
;
Yuji Zhao
;
Shuji Nakamura
;
Steven P. DenBaars
;
James S. Speck
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
InGaN;
quantum well;
semipolar;
photoluminescence;
near-field;
SNOM;
LED;
33.
Investigation of facet-dependent InGaN growth for core-shell LEDs
机译:
核壳LED的面依赖性InGaN生长研究
作者:
Ionut Girgel
;
Paul R. Edwards
;
Emmanuel Le Boulbar
;
Duncan W. E. Allsopp
;
Robert W. Martin
;
Philip A. Shields
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
core-shell;
InGaN;
m-plane;
non-polar;
cathodoluminescence;
nanowires;
34.
InGaN LEDs prepared on β-Ga_2O_3 (201) substrates
机译:
在β-Ga_2O_3(201)衬底上制备的InGaN LED
作者:
Kazuyuki Iizuka
;
Yoshikatsu Morishima
;
Akito Kuramata
;
Yu-Jiun Shen
;
Chang-Yu Tsai
;
Ying-Yong Su
;
Gavin Liu
;
Ta-Cheng Hsu
;
J.H. Yeh
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
Light-emitting diode (LED);
gallium oxide (Ga_2O_3);
gallium nitride (GaN);
high-power LED;
crystal growth;
35.
Deep level transient spectroscopy on light-emitting diodes based on (In,Ga)N/GaN nanowire ensembles
机译:
基于(In,Ga)N / GaN纳米线集成体的发光二极管的深层瞬态光谱
作者:
M. Musolino
;
M. Meneghini
;
L. Scarparo
;
C. De Santi
;
A. Tahraoui
;
L. Geelhaar
;
E. Zanoni
;
H. Riechert
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
DLTS on nanowires;
Deep level traps in GaN;
Ⅲ-N light emitting diodes;
Molecular beam epitaxy;
GaN nanowires;
DLTS;
36.
X-ray diffraction study of A- plane non polar InN epilayer grown by MOCVD
机译:
MOCVD生长的A面非极性InN外延层的X射线衍射研究
作者:
Matthieu MORET
;
Olivier BRIOT
;
Bernard GIL
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
Indium Nitride;
Non polar;
X ray diffraction;
Reciprocal space mapping;
37.
Vertical excitation profile in diffusion injected multi-quantum well light emitting diode structure
机译:
扩散注入多量子阱发光二极管结构中的垂直激发轮廓
作者:
L. Riuttanen
;
P. Kivisaari
;
O. Svensk
;
T. Vasara
;
P. Myllys
;
J. Oksanen
;
S. Suihkonen
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
Ⅲ-nitrides;
diffusion injection;
light-emitting diodes;
38.
Numerical analysis on the effect of electron blocking layer in 365-nm ultraviolet light-emitting diodes
机译:
365 nm紫外发光二极管中电子阻挡层作用的数值分析
作者:
Fang-Ming Chen
;
Jih-Yuan Chang
;
Yen-Kuang Kuo
;
Bing-Cheng Lin
;
Hao-Chung Kuo
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
ultraviolet light-emitting diodes;
electron blocking layer;
polarization;
39.
Enhancement of optical and structural quality of semipolar(1122) GaN by introducing nanoporous SiNx interlayers
机译:
通过引入纳米多孔SiNx中间层提高半极性(1122)GaN的光学和结构质量
作者:
Morteza Monavarian
;
Sebastian Metzner
;
Natalia Izyumskaya
;
Marcus Mueller
;
Serdal Okur
;
Fan Zhang
;
Nuri Can
;
Saikat Das
;
Vitaliy Avrutin
;
UEmit OEzguer
;
Frank Bertram
;
Juergen Christen
;
Hadis Morkoc
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
GaN;
semipolar;
ELO;
SiN_x nano-mesh;
photoluminescence;
x-ray diffraction;
MOCVD;
quantum confined Stark effect;
40.
Strong carrier localization in stacking faults in semipolar (1122) GaN
机译:
半极性(1122)GaN的堆叠故障中的强载流子局部化
作者:
Serdal Okur
;
Morteza Monavarian
;
Saikat Das
;
Natalia Izyumskaya
;
Fan Zhang
;
Vitaliy Avrutin
;
Hadis Morkoc
;
UEmit OEzguer
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
|
2015年
关键词:
GaN;
MOCVD;
semipolar;
stacking faults;
recombination dynamics;
carrier localization;
41.
Indium-incorporation efficiency in semipolar (1122) oriented InGaN-based light emitting diodes
机译:
半极性(1122)取向的基于InGaN的发光二极管中的铟掺入效率
作者:
Morteza Monavarian
;
Sebastian Metzner
;
Natalia Izyumskaya
;
Serdal Okur
;
Fan Zhang
;
Nuri Can
;
Saikat Das
;
Vitaliy Avrutin
;
UEmit OEzguer
;
Frank Bertram
;
Juergen Christen
;
Hadis Morkoc
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
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2015年
关键词:
GaN;
semipolar;
indium incorporation;
photoluminescence;
light emitting diode;
quantum confined stark effect;
42.
Active region dimensionality and quantum efficiencies of InGaN LEDs from temperature dependent photoluminescence transients
机译:
随温度变化的光致发光瞬变,InGaN LED的有源区尺寸和量子效率
作者:
Nuri Can
;
Serdal Okur
;
Morteza Monavarian
;
Fan Zhang
;
Vitaliy Avrutin
;
Hadis Morkoc
;
Ali Teke
;
UEmit OEzguer
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices X》
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2015年
关键词:
InGaN;
light emitting diodes;
time-resolved photoluminescence;
recombination dynamics;
quantum efficiency;
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