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首页> 外文会议>Gallium nitride materials and devices X >Semion-polar nitride quantum wells for high-efficient light emitters
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Semion-polar nitride quantum wells for high-efficient light emitters

机译：半/非极性氮化物量子阱，用于高效发光体

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We describe the optical properties of semion-polar InGaN and AlGaN quantum wells. In semipolar (1122) InGaN QWs, spatially uniform but spectrally broad emissions are observed. This finding is interpreted with consideration of the exciton migration length shortened by the fast radiative recombination lifetime due to the reduced electric field. Non/semipolar AlGaN QWs are also fabricated. In the semipolar (1102) AlGaN QWs, the radiative recombination lifetimes faster than that in the (0001) QW are confirmed experimentally. As a consequence, much stronger emission is achieved from the semipolar AlGaN QWs at room temperature.
机译：我们描述了半/非极性InGaN和AlGaN量子阱的光学性质。在半极性（1122）InGaN QW中，观察到空间均匀但光谱范围宽的发射。考虑到由于减小的电场而由于快速辐射复合寿命而缩短的激子迁移长度，从而解释了这一发现。还制作了非/半极性AlGaN QW。在半极性（1102）AlGaN QW中，通过实验确定了比（0001）QW更快的辐射复合寿命。结果，在室温下从半极性AlGaN QW获得了更强的发射。

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