非极性与半极性GaN基氮化物的外延生长及表征研究

声明

摘要

第一章 绪论

1．1 非极性、半极性GaN基氮化物的研究现状与挑战

1．1．1 衬底的选择

1．1．2 外延生长

1．1．3 外量子效率

1．2 论文研究内容及创新点

第二章 MOVPE外延生长技术及表征方法

2．1 MOVPE外延生长技术

2．1．1 MOVPE系统介绍

2．1．2 MOVPE系统外延生长机理

2．1．3 外延生长模式

2．1．4 外延生长工艺流程

2．1．5 各生长参数对外延生长过程的影响

2．2 相关表征方法

2．2．1 紫外-可见分光光度计

2．2．2 高分辨X射线衍射仪

2．2．3 场发射扫描电子显微镜

2．2．4 霍尔效应测试仪

2．2．5 光致发光光谱仪

2．3 本章小结

第三章 非极性和半极性GaN材料的生长及表征

3．1 a面蓝宝石衬底上GaN材料的生长

3．1．1 参数设计

3．1．2 结果分析

3．2 m面蓝宝石衬底上GaN材料的生长

3．2．1 参数的设计

3．2．2 结果分析

3．3 r面蓝宝石衬底上GaN材料的生长

3．3．1 参数设计

3．3．2 结果分析

3．4 本章小结

第四章 非极性和半极性A1GaN材料的生长及表征

4．1．非极性AlGaN材料的生长

4．2 半极性AlGaN材料的生长

4．3 本章小结

第五章 极性，非极性和半极性AlGaN材料Si掺杂的研究

5．1 生长条件的设计

5．2 表征结果分析

5．2．1 表面形貌

5．2．2 晶体质量

5．2．3 电学特性

5．2．4 光学性质

5．3 本章小结

第六章 总结与展望

6．1 全文总结

6．2 未来展望

致谢

参考文献

附录：攻读硕士学位期间的研究成果