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MULTIWAFER MOVPE OF III-NITRIDE FILMS FOR LED AND LASER APPLICATIONS

机译：用于LED和激光应用的III型氮化物薄膜的多晶片移动

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摘要

Process for mass production of GaN and its related alloys, InGaN and AlGaN, have been optimized to achieve high device yield and low cost of ownership. Here we present some of the latest results obtained from ATX 2000 HT Planetary Reactor~® in a configuration of 7×2" which provides unique uniformity capabilities due to the two fold rotation of the substrates. GaN single layers with background electron concentrations below 5·10~(16) cm~(-3) and intended doping levels up to 10~(18) cm~(-3) p-type and 10~(20) cm~(-3) n-type with state of the art homogeneities have been achieved. Thickness homogeneities have been shown to be better than 1 % standard deviation on full 2" wafers, while composition uniformity of ternary material is determined by room temperature photoluminescence mappings. Low temperature photoluminescence and reflectance spectra of single layer GaN revealed free exciton transitions.
机译：GaN及其相关合金InGaN和AlGaN的批量生产工艺已得到优化，以实现高器件良率和低拥有成本。在这里，我们介绍了一些ATX 2000 HT Planetary Reactor〜®在7×2“的配置中获得的一些最新结果，该结构由于基板的两倍旋转而具有独特的均匀性。背景电子浓度低于5·的GaN单层10〜（16）cm〜（-3），预期掺杂水平分别为10〜（18）cm〜（-3）p型和10〜（20）cm〜（-3）n型，且掺杂状态为在完整的2“晶圆上，厚度均一性优于1％标准偏差，而三元材料的组成均一性由室温光致发光图谱确定。单层GaN的低温光致发光和反射光谱显示出自由激子跃迁。

著录项

  • 来源
    《Nitride semiconductors》|1997年|155-160|共6页
  • 会议地点 Boston MA(US)
  • 作者

    R. BECCARD; O. SCHOEN; B. SCHINELLER; D. SCHMITZ; M. HEUKEN; H. JUERGENSEN;

  • 作者单位

    AIXTRON AG, Kackertstr. 15-17, D-52072 Aachen, Germany;

    AIXTRON AG, Kackertstr. 15-17, D-52072 Aachen, Germany;

    Institut fuer Halbleitertechnik, RWTH Aachen, Templergraben 55, D-52056 Aachen, Germany;

    AIXTRON AG, Kackertstr. 15-17, D-52072 Aachen, Germany;

    AIXTRON AG, Kackertstr. 15-17, D-52072 Aachen, Germany Institut fuer Halbleitertechnik, RWTH Aachen, Templergraben 55, D-52056 Aachen, Germany;

    AIXTRON AG, Kackertstr. 15-17, D-52072 Aachen, Germany;

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  • 正文语种 eng
  • 中图分类 材料;
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