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【24h】

SELECTIVE AREA ETCHING OF GaN AND AlGaN BY THERMALLY CHEMICAL REACTION IN HYDROGEN AMBIENT

机译：氢环境中热化学反应对GaN和AlGaN的选择性区域刻蚀

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摘要

The selective area etching of wurtzite GaN (0001) and AlGaN (0001) with SiO_2 masks is investigated for different temperatures of 800 to 1100℃ and different ambient gases of H_2, N_2 and Ar including NH_3. The etching rate of GaN increases with increasing annealing temperature under H_2 ambient. This etching is attributed to the chemical reaction between Ga-N and H_2. On the other hand, the etching of GaN does not occur in the N_2 or Ar ambient gas. The NH3 gas in H_2 ambient suppresses the chemical reaction, while the NH3 gas in N_2 enhances it. The surface etching of Alo.1Gao.9N is not observed even in H_2 ambient.
机译：研究了在800〜1100℃的不同温度以及H_2，N_2和Ar（包括NH_3）的不同环境气体下，采用SiO_2掩模对纤锌矿GaN（0001）和AlGaN（0001）进行的选择性刻蚀。 GaN的刻蚀速率随着H_2环境下退火温度的升高而增加。该蚀刻归因于Ga-N和H_2之间的化学反应。另一方面，在N_2或Ar环境气体中不会发生GaN的蚀刻。 H_2环境中的NH3气体抑制了化学反应，而N_2中的NH3气体增强了化学反应。即使在H_2环境中也未观察到Alo.1ao.9N的表面蚀刻。

著录项

  • 来源
    《Nitride semiconductors》|1997年|991-996|共6页
  • 会议地点 Boston MA(US)
  • 作者

    K. Hiramatsu; H. Matsushima; H. Hanai; N. Sawaki;

  • 作者单位

    Mie University, Department of Electrical and Electronic Engineering 1515 Kamihama-cho, Tsu, Mie 514, Japan;

    Nagoya University, Department of Electronics Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-01, Japan;

    Nagoya University, Department of Electronics Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-01, Japan;

    Nagoya University, Department of Electronics Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-01, Japan;

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