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ISOELECTRONIC TRAP LIKE LUMINESCENCE CENTERS OF InGaN

机译：InGaN的等电子陷阱发光中心

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This paper describes the characteristics of the luminescence centers observed in the various photoluminescence (PL) and photoluminescence excitation (PLE) spectra of hexagonal Ib_xGa_(1-x)N microcrystals, synthesized by the nitridation of sulfide in the In concentration range of 2%

机译：本文描述了在2％的In浓度范围内硫化物的氮化合成的六角形Ib_xGa_（1-x）N微晶在各种光致发光（PL）和光致发光激发（PLE）光谱中观察到的发光中心的特征。 x <6％。生长的晶体显示出宏观和微观上的不均匀性。由高斯函数表示的一系列成分带具有离散的峰值能量，这些峰值能量选自PL谱中经常观察到的峰，并且从最窄的PL谱带获得的半峰全宽很好地拟合了观察到的宽发射谱带。由于组成谱带的某些峰值能量与归因于文献中In含量波动引起的局部态激子衰减的谱带的峰值能量一致，因此我们得出结论，组成谱带的发光中心也源自In含量的波动。尽管通过X射线衍射法测定的样品中In含量是兼容的，但PLE测量得出的能隙却不同。 PLE光谱显示斯托克斯位移大，并且能隙能量与发射带峰无关。在2.8至2.48 eV范围内的发射带的激发带位于3.36、3.26和3.21 eV。这些结果表明发光中心的状态是局部的并且能级是离散的。为了获得Ib_xGa_（1-x）N中局域态的微观结构，我们提出了与ZnSeTe中的Te团簇相当的等电子原子团簇模型。

著录项

来源
《Nitride semiconductors》|1997年|731-736|共6页
会议地点 Boston MA(US)
作者
H. KANIE; H. KOAMI; T. KAWANO; T. TOTSUKA;
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作者单位

Applied Electronics Dept., Science University of Tokyo, Chiba, 278 Japan;

Applied Electronics Dept., Science University of Tokyo, Chiba, 278 Japan;

Applied Electronics Dept., Science University of Tokyo, Chiba, 278 Japan;

Applied Electronics Dept., Science University of Tokyo, Chiba, 278 Japan;

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正文语种 eng
中图分类材料;
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