This paper describes the characteristics of the luminescence centers observed in the various photoluminescence (PL) and photoluminescence excitation (PLE) spectra of hexagonal Ib_xGa_(1-x)N microcrystals, synthesized by the nitridation of sulfide in the In concentration range of 2%展开▼
机译：本文描述了在六边形IB_XGA_（1-X）N微晶的各种光致发光（PL）和光致发光激发（PLE）光谱中观察到的发光中心的特征，由浓度范围的硫化物的氮化为2％< x <6％。生长的晶体显示出宏观和微观的不均匀性。由高斯函数表示的一系列元件带，其具有从PL光谱中的常见峰值中选择的离散峰值能量和从最窄的PL带中获得的半宽的全宽度，以便很好地观察到广泛的发射带。由于组件频带的一些峰值能量与归因于由文献中的内容波动引起的局部状态下的激子衰减的频段，我们总结了组件频带的发光中心也起源于内容物的波动。尽管由X射线衍射方法确定的样品的内容兼容，但是来自PLE测量的间隙能量不同。 PLE光谱表明Stokes偏移大，间隙能量与发射带峰无关紧要。发射带的激励带在2.8至2.48eV的范围内位于3.36,3.26和3.21eV。这些结果表明，发光中心的状态是本地化的，能量水平是离散的。为了在IB_XGA_（1-x）n中获取局部状态的微观结构，我们提出了与ZNSETE中的TE集群相当的等电子原子集群模型。
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