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首页> 外文会议>Optical Microlithography XI >Cross-sectional critical shape error: a novel methodology for quantifying process simulation accuracy
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Cross-sectional critical shape error: a novel methodology for quantifying process simulation accuracy

机译：横截面临界形状误差：量化过程仿真精度的新方法

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摘要

Abstract: In an effort to quantify simulator performance, we propose a new metric - the cross-sectional critical shape error (CCSE). This tool allows quantified comparison of actual resist patterns to simulator predictions, condensing two- and three- dimensional simulation errors into a scalar error value. This value can be used as a figure of merit to ascertain optimum simulator settings for matching actual experimental output. This effort extends previous work by Mack on the so-called 'critical shape error' (CSE) metric for evaluating differences between the mask and simulated resist patterns. While the work by Mack was directed primarily at OPC, CCSE is appropriate for quantitative simulator evaluations, simulator anchoring, head- to-head simulator evaluations, and use in optimizing cost functions (e.g. for use in Genetic Algorithms, etc.) since it compares the simulator output directly to the resist cross section. !7
机译：摘要：为了量化模拟器的性能，我们提出了一种新的度量标准-横截面临界形状误差（CCSE）。该工具可以将实际抗蚀剂图案与模拟器预测值进行量化比较，将二维和三维模拟误差浓缩为标量误差值。该值可以用作品质因数，以确定与实际实验输出匹配的最佳模拟器设置。这项工作扩展了Mack先前关于所谓的“临界形状误差”（CSE）度量标准的工作，该度量标准用于评估掩模与模拟抗蚀剂图案之间的差异。尽管Mack的工作主要针对OPC，但CCSE比较适用于定量仿真器评估，仿真器锚定，头对头仿真器评估以及优化成本函数（例如用于遗传算法等）。模拟程序直接输出到抗蚀剂横截面。 ！7

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