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1.
Impacts of reticle and wafer elasticity control on overall alignment management strategy
机译:
标线和晶圆弹性控制对整体对准管理策略的影响
作者:
Etsuya Morita
;
Nikon Precision Inc.
;
Belmont
;
CA
;
USA
;
Masaharu Kawakubo
;
Nikon Precision Inc.
;
Belmont
;
CA
;
USA
;
Frank C. Leung
;
Nikon Precision Inc.
;
Belmont
;
CA
;
USA
;
Sean J. McNamara
;
Nikon Precision Inc.
;
Belmont
;
CA
;
USA
;
Joseph T. Parry
;
Nikon Prec
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
2.
Impact of coma on CD control for multiphase PSM designs
机译:
昏迷对多相PSM设计CD控制的影响
作者:
Regina T. Schmidt
;
Advanced Micro Devices
;
Inc.
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA
;
Christopher A. Spence
;
Advanced Micro Devices
;
Inc.
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA
;
Luigi Capodieci
;
Advanced Micro Devices
;
Inc.
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA
;
Zoran Krivokapic
;
Advanced Micro Devices
;
Inc.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
3.
Imaging performance of scanning exposure systems
机译:
扫描曝光系统的成像性能
作者:
Ryuichi Ebinuma
;
Canon Inc.
;
Tochigi-ken
;
Japan
;
Kazunori Iwamoto
;
Canon Inc.
;
Tochigi-ken
;
Japan
;
Hiroaki Takeishi
;
Canon Inc.
;
Tochigi-ken
;
Japan
;
Hiroshi Itoh
;
Canon Inc.
;
Tochigi-ken
;
Japan
;
Mitsuru Inoue
;
Canon Inc.
;
Tochigi-ken
;
Japan
;
Kazuhiro Taka
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
4.
Influence of aberration on performance during use of resolution enhancement technology
机译:
使用分辨率增强技术时像差对性能的影响
作者:
Kouichirou Tsujita
;
Mitsubishi Electric Corp.
;
Hyogo
;
Japan
;
Junjiro Sakai
;
Mitsubishi Electric Corp.
;
Hyogo
;
Japan
;
Akihiro Nakae
;
Mitsubishi Electric Corp.
;
Hyogo
;
Japan
;
Shuji Nakao
;
Mitsubishi Electric Corp.
;
Hyogo
;
Japan
;
Wataru Wakamiya
;
Mitsubishi
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
5.
Illumination pupil filtering using modified quadrupole apertures
机译:
使用改良的四极子孔径的照明瞳孔滤波
作者:
Bruce W. Smith
;
Rochester Institute of Technology
;
Rochester
;
NY
;
USA
;
Lena Zavyalova
;
Rochester Institute of Technology
;
Rochester
;
NY
;
USA
;
John S. Petersen
;
SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
6.
High-spectral-purity and high-durability kHz KrF excimer laser with advanced rf preionization discharge
机译:
高光谱纯度和高耐用性的kHz KrF准分子激光,具有先进的射频预电离放电
作者:
Tatsuo Enami
;
Komatsu Ltd.
;
Hiratsuka-shi Kanagawa
;
Japan
;
Osamu Wakabayashi
;
Komatsu Ltd.
;
Hiratsuka Kanagawa
;
Japan
;
Toshihiro Nishisaka
;
Komatsu Ltd.
;
Tochigi-ken
;
Japan
;
Natsushi Suzuki
;
Komatsu Ltd.
;
Kanagawa
;
Japan
;
Takashi Nire
;
Komatsu Ltd.
;
Kanag
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
7.
New variable-transmission illumination technique optimized with design rule criteria
机译:
根据设计规则标准优化的新型可变透射照明技术
作者:
Raymond A. Cirelli
;
Lucent Technologies/Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Masis M. Mkrtchyan
;
Lucent Technologies/Bell Labs.
;
Gillette
;
NJ
;
USA
;
George P. Watson
;
Lucent Technologies/Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Lee E. Trimble
;
Lucent Technologies/Be
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
8.
High-NA illumination: a simulation study
机译:
高NA照明:仿真研究
作者:
Leonhard Mader
;
Siemens AG
;
Muenchen
;
Germany
;
Christoph Friedrich
;
Siemens AG
;
Muenchen
;
Germany.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
9.
High-accuracy alignment based on subspace decomposition
机译:
基于子空间分解的高精度对准
作者:
Amir Aalam Ghazanfarian
;
Stanford Univ.
;
Palo Alto
;
CA
;
USA
;
Xun Chen
;
Stanford Univ.
;
Stanford
;
CA
;
USA
;
Mark A. McCord
;
Stanford Univ.
;
Stanford
;
CA
;
USA
;
R. Fabian W. Pease
;
Stanford Univ.
;
Arlington
;
VA
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
10.
Metropole-3D: a rigorous 3D topography simulator
机译:
Metropole-3D:严格的3D地形模拟器
作者:
Xiaolei Li
;
Carnegie Mellon Univ.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Kevin D. Lucas
;
Motorola
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Aaron L. Swecker
;
Carnegie Mellon Univ.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Andrzej J. Strojwas
;
Carnegie Mellon Univ.
;
Pittsburgh
;
PA
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
11.
Exposure effects on deep-ultraviolet resist thickness
机译:
曝光对深紫外线抗蚀剂厚度的影响
作者:
Pary Baluswamy
;
Micron Technology
;
Inc.
;
Boise
;
ID
;
USA
;
Thomas R. Glass
;
Micron Technology
;
Inc.
;
Boise
;
ID
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
12.
Enhanced microlithography using coated objectives and image duplication
机译:
使用涂层的物镜和图像复制技术增强微光刻
作者:
Miklos Erdelyi
;
Jozsef Attila Univ.
;
Houston
;
TX
;
USA
;
Zsolt Bor
;
Jozsef Attila Univ.
;
Szeged
;
Hungary
;
Gabor Szabo
;
Jozsef Attila Univ.
;
Szeged
;
Hungary
;
Frank K. Tittel
;
Rice Univ.
;
Houston
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
13.
Evaluation of coma aberration in projection lens by various measurements
机译:
通过各种测量评估投影透镜中的彗形像差
作者:
Takashi Saito
;
Matsushita Electronics Corp.
;
Minami-ku Kyoto
;
Japan
;
Hisashi Watanabe
;
Matsushita Electronics Corp.
;
Minami-ku Kyoto
;
Japan
;
Yoshimitsu Okuda
;
Matsushita Electronics Corp.
;
Minami-ku
;
Kyoto
;
Japan.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
14.
Evaluation of phase-edge phase-shifting mask for sub-0.18-um gate patterns in logic devices
机译:
逻辑器件中0.18um以下栅极图案的相边缘相移掩模评估
作者:
Dong H. Cha
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Yongin-Goon Kyungki-Do
;
South Korea
;
Jongwook Kye
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Yongin-City
;
Kyungki-Do
;
South Korea
;
Nakgeuon G. Seong
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Yongin-city Kyungki-Do
;
South Korea
;
Ho Y
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
15.
Effect of lens aberrations as a function of illumination condition on full-field process windows
机译:
透镜像差与照明条件的关系对全场过程窗口的影响
作者:
Audrey M. Davis
;
SGS-Thomson Microelectronics
;
Phoenix
;
AZ
;
USA
;
Andrew E. Bair
;
SGS-Thomson Microelectronics
;
Phoenix
;
AZ
;
USA
;
Bradley D. Lantz
;
SGS-Thomson Microelectronics
;
Phoenix
;
AZ
;
USA
;
Jeffrey R. Johnson
;
SGS-Thomson Microelectronics
;
Phoenix
;
A
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
16.
DUV synchrotron exposure station at CAMD
机译:
CAMD的DUV同步加速器曝光站
作者:
Chantal Khan Malek
;
Louisiana State Univ.
;
Baton Rouge
;
LA
;
USA
;
Volker Saile
;
Louisiana State Univ.
;
Baton Rouge
;
LA
;
USA
;
J. Michael Klopf
;
Louisiana State Univ.
;
Baton Rouge
;
LA
;
USA
;
Louis Rupp
;
Louisiana State Univ.
;
Baton Rouge
;
LA
;
USA
;
Steven Nguy
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
17.
Lithography simulation employing rigorous solutions to Maxwell's equations
机译:
使用严格求解麦克斯韦方程组的光刻模拟
作者:
Ronald L. Gordon
;
FINLE Technologies
;
Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Chris A. Mack
;
FINLE Technologies
;
Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
18.
Lithography of 180-nm design rule for 1-Gb DRAM
机译:
1-Gb DRAM的180-nm设计规则光刻
作者:
Dong-Seok Nam
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Yongin-City
;
Kyungki-Do
;
South Korea
;
Junghyeon Lee
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Yongin-Shi Kyungi-Do
;
South Korea
;
Changhwan Kim
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Yongin-Goon
;
Kyungki-Do
;
South Korea
;
Sung-W
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
19.
LAVA: lithography analysis using virtual access
机译:
LAVA:使用虚拟访问的光刻分析
作者:
Chang Hsu
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA
;
Rona Yang
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA
;
Jeffery Cheng
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA
;
Peter Chien
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA
;
Victor We
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
20.
Laser alignment strictness for optical diffraction effect in lithography processes
机译:
激光对准严格性,用于光刻工艺中的光学衍射效应
作者:
Hsun-Peng Lin
;
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.
;
Chu-Tung Hsin-Chu
;
Taiwan
;
Chih-Hsiung Lee
;
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.
;
Chu-Tung Hsin-Chu
;
Taiwan
;
Yi-Chyuan Lo
;
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.
;
Chu-Tung Hsin-Chu
;
Taiwan
;
Kuo-Lian
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
21.
Laser pattern-generation technology below 0.25 um
机译:
0.25 um以下的激光图案生成技术
作者:
Paul C. Allen
;
Etec Systems
;
Inc.
;
Beaverton
;
OR
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
22.
Design of illumination system for ArF excimer laser step-and-scanner
机译:
ArF准分子激光步进扫描仪照明系统设计
作者:
Kag Hyeon Lee
;
Electronics
;
Telecommunications Research Institute
;
Yusong
;
Taejeon
;
South Korea
;
Doh H. Kim
;
Electronics
;
Telecommunications Research Institute
;
Yusong
;
Taejon
;
South Korea
;
Jong-Soo Kim
;
Electronics
;
Telecommunications Research Institute
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
23.
Conformality of photoresist and antireflective coatings over topography
机译:
光刻胶和抗反射涂层在形貌上的保形性
作者:
James A. Bruce
;
IBM Microelectronics Div.
;
Essex Junction
;
VT
;
USA
;
Ellen Wallander
;
IBM Microelectronics Div.
;
Essex Jct
;
VT
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
24.
Contributors to focal plane nonuniformity and their impact on linewidth control in DUV step-and-scan system
机译:
焦平面不均匀性及其对DUV步进扫描系统中线宽控制的影响
作者:
Pradeep K. Govil
;
SVG Lithography Systems Inc.
;
Ridgefield
;
CT
;
USA
;
James G. Tsacoyeanes
;
SVG Lithography Systems Inc.
;
Ridgefield
;
CT
;
USA
;
Randell P. Eron
;
SVG Lithography Systems Inc.
;
Mohegan Lake
;
NY
;
USA
;
Dave Walters
;
SVG Lithography Systems Inc.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
25.
Damage testing of pellicles for 193-nm lithography
机译:
193 nm光刻的防护膜损坏测试
作者:
Vladimir Liberman
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Roderick R. Kunz
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Mordechai Rothschild
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Jan H. Sedlacek
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Ray S. Uttaro
;
MIT Lincoln
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
26.
Deep-UV reflection control for patterning dielectric layers
机译:
用于图案化介电层的深紫外线反射控制
作者:
Ramkumar Subramanian
;
Advanced Micro Devices
;
Inc.
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA
;
Gurjeet S. Bains
;
Advanced Micro Devices
;
Inc.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Christopher F. Lyons
;
Advanced Micro Devices
;
Inc.
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA
;
Bhanwar Singh
;
Advanced Micro Devices
;
Inc.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
27.
Assessment of optical coatings for 193-nm lithography
机译:
193 nm光刻的光学涂层评估
作者:
Vladimir Liberman
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Mordechai Rothschild
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Jan H. Sedlacek
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Ray S. Uttaro
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Andrew Grenville
;
Intel Corp.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
28.
ArF lasers for production of semiconductor devices with CD<0.15 um
机译:
ArF激光器用于生产CD <0.15 um的半导体器件
作者:
Thomas P. Duffey
;
Cymer
;
Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Todd J. Embree
;
Cymer
;
Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Toshihiko Ishihara
;
Cymer
;
Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Richard G. Morton
;
Cymer
;
Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
William N. Partlo
;
Cymer
;
Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
29.
ArF excimer laser lithography with bottom antireflective coating
机译:
带底部抗反射涂层的ArF准分子激光光刻
作者:
Shinji Kishimura
;
Association of Super-Advanced Electronics Technologie s
;
Yokohama
;
Japan
;
Makoto Takahashi
;
Association of Super-Advanced Electronics Technologie s
;
Yokohama Kanagawa
;
Japan
;
Keisuke Nakazawa
;
Association of Super-Advanced Electronics Te
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
30.
Chip-scale 3D topography synthesis
机译:
芯片级3D地形综合
作者:
Mariusz Niewczas
;
Carnegie Mellon Univ.
;
Pittsburgh
;
PA
;
USA
;
Xiaolei Li
;
Carnegie Mellon Univ.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Andrzej J. Strojwas
;
Carnegie Mellon Univ.
;
Pittsburgh
;
PA
;
USA
;
Wojciech P. Maly
;
Carnegie Mellon Univ.
;
Pittsburgh
;
PA
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
31.
Characterization of a next-generation step-and-scan system
机译:
下一代步进扫描系统的特性
作者:
Timothy J. Wiltshire
;
IBM Microelectronics Corp.
;
Hopewell Jct
;
NY
;
USA
;
Joseph P. Kirk
;
IBM Microelectronics Corp.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Donald C. Wheeler
;
IBM Microelectronics Corp.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Christopher Obszarny
;
IBM Microelec
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
32.
Challenge of 0.3-k1 lithography by optimizing NA/sigma OAI biasing and BARC: practical a
机译:
优化NA / sigma OAI偏置和BARC对0.3-k1光刻的挑战:实用
作者:
Keun-Young Kim
;
Integrated Device Technology
;
Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Stanley Barnett
;
Integrated Device Technology
;
Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
James Shih
;
Integrated Device Technology
;
Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
33.
CD control of ASIC polysilicon gate level
机译:
ASIC多晶硅栅极级的CD控制
作者:
Jacek K. Tyminski
;
Nikon Precision Inc.
;
Belmont
;
CA
;
USA
;
Sean J. McNamara
;
Nikon Precision Inc.
;
Belmont
;
CA
;
USA
;
Stephen A. Meisner
;
Cirent Semiconductor
;
Orlando
;
FL
;
USA
;
Ronald R. Gorham
;
Cirent Semiconductor
;
Orlando
;
FL
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
34.
Modifications of polymeric ARC films by UV irradiation
机译:
通过紫外线辐照改性聚合物ARC膜
作者:
Ronald A. Carpio
;
SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Alan Stephen
;
SEMATECH
;
Advanced Micro Devices
;
Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Jeffrey A. Eisele
;
Eaton Corp.
;
Cranston
;
RI
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
35.
Measurment of astigmatism in microlithography lenses
机译:
微光刻镜头中的像散测量
作者:
Joseph P. Kirk
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
36.
Surface finish and optical quality of CaF2 for UV lithography a
机译:
用于UV光刻的CaF2的表面光洁度和光学质量
作者:
Angela Duparre
;
Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Optik und Feinmec hanik
;
Jena
;
Germany
;
Roland Thielsch
;
Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Optik und Feinmec hanik
;
Jena
;
Germany
;
Norbert Kaiser
;
Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Optik und Feinmec
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
37.
Thin-film interference effects for thin resist films on a broadband scanner
机译:
宽带扫描仪上的抗蚀剂薄膜的薄膜干涉效应
作者:
James A. Bruce
;
IBM Microelectronics Div.
;
Essex Junction
;
VT
;
USA
;
Michael D. Caterer
;
IBM Microelectronics Div.
;
Essex Jct
;
VT
;
USA
;
Dianne L. Sundling
;
IBM Microelectronics Div.
;
Huntington
;
VT
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
38.
Net-Faim: distributed computation of aerial images
机译:
Net-Faim:航拍图像的分布式计算
作者:
Uwe Hollerbach
;
Boston Univ.
;
Boston
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
39.
Narrow-pitch contact array patterning technique for Gb DRAM using multi-phase-shifting mask
机译:
使用多相移掩模的Gb DRAM窄间距接触阵列构图技术
作者:
Takashi Nakabayashi
;
Matsushita Electronics Corp.
;
Minami-ku
;
Kyoto
;
Japan
;
Koji Matsuoka
;
Matsushita Electronics Corp.
;
Minami-ku
;
Kyoto
;
Japan
;
Shigeo Irie
;
Matsushita Electronics Corp.
;
Minami-ku
;
Kyoto
;
Japan
;
Hiromasa Fujimoto
;
Matsushita Electronics
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
40.
Optimization of stepper parameters and its design rule for an attenuatedphase-shifting mask,
机译:
衰减相移掩模的步进器参数优化及其设计规则,
作者:
Hung-Eil Kim
;
Integrated Device Technology
;
Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Stanley Barnett
;
Integrated Device Technology
;
Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
James Shih
;
Integrated Device Technology
;
Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
41.
Overlay accuracy of reticles
机译:
标线的叠加精度
作者:
Hisatsugu Shirai
;
Fujitsu Ltd.
;
Mie
;
Japan
;
Kanji Takeuchi
;
Fujitsu Ltd.
;
Mie
;
Japan
;
Kazumasa Shigematsu
;
Fujitsu Ltd.
;
Mie
;
Japan.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
42.
Optimization of exposure procedures for sub-quarter-micron CMOS a
机译:
亚微米CMOS的曝光程序优化
作者:
Shoji Hotta
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Ome-shi
;
Tokyo
;
Japan
;
Toshihiko Onozuka
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Ome-shi
;
Tokyo
;
Japan
;
Keiko Fukumoto
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Ome-shi
;
Tokyo
;
Japan
;
Seiichiro Shirai
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Ome-shi
;
Tokyo
;
Japan
;
Shinji Okazaki
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Ome-sh
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
43.
Optimal proximity correction: a
机译:
最佳接近校正:
作者:
Y.G. Chen
;
Mosel Vitelic Corp.
;
Hsinchu
;
Taiwan
;
D.L. Huang
;
Mosel Vitelic Corp.
;
Hsinchu
;
Taiwan
;
K.T. Sung
;
Mosel Vitelic Corp.
;
Hsinchu
;
Taiwan
;
J.J. Chiang
;
Mosel Vitelic Corp.
;
Hsinchu
;
Taiwan
;
M.Yu
;
Mosel Vitelic Corp.
;
Hsinchu
;
Taiwan
;
F.Teng
;
Mose
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
44.
Optical lens specifications from the user's perspective
机译:
用户角度的光学镜片规格
作者:
Christopher J. Progler
;
IBM Semiconductor Research
;
Development Ctr.
;
Hopewell Jct
;
NY
;
USA
;
Donald C. Wheeler
;
IBM Semiconductor Research
;
Development Ctr.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
45.
Preventing sidelobe printing in a
机译:
防止旁瓣打印
作者:
Z. Mark Ma
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
Andrew Andersson
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
46.
Process proximity correction using an automated software tool
机译:
使用自动化软件工具进行过程接近校正
作者:
Wilhelm Maurer
;
Siemens AG
;
Muenchen
;
Germany
;
Christoph Dolainsky
;
aiss GmbH
;
Munich
;
Germany
;
Joerg Thiele
;
Siemens AG
;
Munich
;
Germany
;
Christoph Friedrich
;
Siemens AG
;
Muenchen
;
Germany
;
Paul Karakatsanis
;
aiss GmbH
;
Munich
;
Germany.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
47.
Printing sub-100-nm random logic patterns using binary masks and synthetic-aperture lithography (SAL)
机译:
使用二进制掩模和合成孔径光刻(SAL)打印100 nm以下的随机逻辑图案
作者:
Torbjorn Sandstroem
;
Micronic Laser Systems AB
;
Taeby
;
Sweden.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
48.
Practical approach to control the full-chip-level gate CD in DUVlithography,
机译:
在DUVlithography中控制全芯片级栅极CD的实用方法,
作者:
Chul-Hong Park
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Yongin-Gun Kyungki-do
;
South Korea
;
Yoo-Hyon Kim
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Kyungki-do
;
South Korea
;
Hoong-Joo Lee
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Kyungki-do
;
South Korea
;
Jeong-Taek Kong
;
Samsung Electr
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
49.
Reticle contributions to CD uniformity for 0.25-um DUV lithography
机译:
0.25um DUV光刻的光罩对CD均匀性的贡献
作者:
Jan P. Kuijten
;
ASM Lithography BV
;
Veldhoven
;
Netherlands
;
Frank Duray
;
ASM Lithography BV
;
Veldhoven
;
Netherlands
;
Ted der Kinderen
;
ASM Lithography BV
;
Veldhoven
;
Netherlands.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
50.
Reducing or eliminating line-end shortening and iso/dense bias by tuning NA and sigma
机译:
通过调整NA和sigma减少或消除线端缩短和iso / dense偏差
作者:
Olivier Toublan
;
France Telecom CNET
;
Meylan Cedex
;
France
;
Patrick Schiavone
;
France Telecom CNET
;
Meylan Cedex
;
France.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
51.
Simulation and experimental evaluation of double-exposure techniques
机译:
二次曝光技术的仿真与实验评估
作者:
Mark O. Neisser
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Antoinette F. Molless
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
52.
Stability of optical interference coatings exposed to low-fluence 193-nm ArF radiation
机译:
暴露于低通量193 nm ArF辐射的光学干涉涂层的稳定性
作者:
Joerg Heber
;
Fraunhofer Institute for Applied Optics
;
Precision Engineering
;
Jena
;
Germany
;
Roland Thielsch
;
Fraunhofer Institute for Applied Optics
;
Precision Engineering
;
Jena
;
Germany
;
H.Blaschke
;
Fraunhofer Institute for Applied Optics
;
Precision Enginee
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
53.
Aberration evaluation and tolerancing of 193-nm lithographic objective lenses
机译:
193 nm光刻物镜的像差评估和公差
作者:
Bruce W. Smith
;
Rochester Institute of Technology
;
Rochester
;
NY
;
USA
;
James E. Webb
;
Tropel Corp.
;
Fairport
;
NY
;
USA
;
John S. Petersen
;
SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Jeff Meute
;
SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
54.
Application of artificial neural networks (ANN) and response surface model (RSM) in optical microlithographic process modeling
机译:
人工神经网络(ANN)和响应面模型(RSM)在光学微光刻工艺建模中的应用
作者:
Author(s): Bo Zhou Storage Technology Corp. Louisville CO USA
;
Barry A. McPherron Motorola Louisville CO USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
55.
Practical approach to control the full-chip-level gate CD in DUV lithography
机译:
在DUV光刻中控制全芯片级栅极CD的实用方法
作者:
Author(s): Chul-Hong Park Samsung Electronics Co. Ltd. Yongin-Gun Kyungki-do South Korea
;
Yoo-Hyon Kim Samsung Electronics Co. Ltd. Kyungki-do South Korea
;
Hoong-Joo Lee Samsung Electronics Co. Ltd. Kyungki-do South Korea
;
Jeong-Taek Kong Sam
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
56.
Intrafield critical dimension variation using KrF scanner system for 0.18-um lithography
机译:
使用KrF扫描仪系统进行0.18um光刻的场内临界尺寸变化
作者:
Donggyu Yim
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-si Kyoungki-do
;
South Korea
;
Hyeong-Soo Kim
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-kun
;
Kyungiki-do
;
South Korea
;
Ki-Ho Baik
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-si
;
Kyoung
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
57.
Improvement of overlay in the oxide- and W-chemical-mechanical polish processes
机译:
改善氧化物和W化学机械抛光工艺中的覆盖层
作者:
Sen-Shan Yang
;
World-Wide Semiconductor Manufacturing Corp.
;
Hsinchu
;
Taiwan.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
58.
Influence of underlayer reflection on optical proximity effects in sub-quarter-micron lithography
机译:
亚微米级光刻中底层反射对光学邻近效应的影响
作者:
Atsushi Sekiguchi
;
Sony Corp.
;
Atsugi-shi
;
Kanagawa-ken
;
Japan
;
Fumikatsu Uesawa
;
Sony Corp.
;
Atsugi-Shi
;
Japan
;
Koichi Takeuchi
;
Sony Corp.
;
Atsugi-shi Kanagawa-ken
;
Japan
;
Tatsuji Oda
;
Sony Corp.
;
Atsugi-shi Kanagawa
;
Japan.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
59.
Inorganic antireflective coating process for deep-UV lithography
机译:
用于深紫外光刻的无机抗反射涂层工艺
作者:
Qizhi He
;
Texas Instruments Inc.
;
Plano
;
TX
;
USA
;
Wei W. Lee
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
Maureen A. Hanratty
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
Daty Rogers
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
Guoqiang Xing
;
Texas Instruments Inc
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
60.
0.18-um optical lithography performances using an alternating DUV phase-shift mask
机译:
使用交替DUV相移掩模的0.18um光学光刻性能
作者:
Yorick Trouiller
;
CEA-LETI
;
Grenoble Cedex 9
;
France
;
N.Buffet
;
CEA-LETI
;
Grenoble Cedex 9
;
France
;
Thierry Mourier
;
CEA-LETI
;
Grenoble Cedex 9
;
France
;
Patrick Schiavone
;
France Telecom CNET-CNS
;
Meylan Cedex
;
France
;
Y.Quere
;
CEA-LETI
;
Grenoble Cedex 9
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
61.
0.25-um logic manufacturability using practical 2D optical proximity correction
机译:
使用实用的2D光学接近度校正可实现0.25um的逻辑可制造性
作者:
Michael E. Kling
;
Motorola
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Kevin D. Lucas
;
Motorola
;
Austin
;
TX
;
USA
;
A.Reich
;
Motorola
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Bernard J. Roman
;
Motorola
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Harry Chuang
;
Motorola
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Percy V. Gilbert
;
Motorola
;
Austin
;
TX
;
USA
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
62.
Application of alternating phase-shifting masks to 140-nm gatepatterning: II. Mask design and manufacturing tolerances,
机译:
交替移相掩模在140 nm栅极图案中的应用:II。面罩设计和制造公差
作者:
Hua-Yu Liu
;
Hewlett Packard Labs.
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Linard Karklin
;
Numerical Technologies
;
Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Yao Ting Wang
;
Numerical Technologies
;
Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Yagyensh C. Pati
;
Numerical Technologies
;
Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
63.
Feasibility studies of operating KrF lasers at ultranarrow spectral bandwidths for 0.18-um line widths
机译:
在0.18um线宽的超窄谱带宽下操作KrF激光器的可行性研究
作者:
Alex I. Ershov
;
Cymer
;
Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Thomas Hofmann
;
Cymer
;
Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
William N. Partlo
;
Cymer
;
Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Igor V. Fomenkov
;
Cymer
;
Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
George Everage
;
Cymer
;
Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Palas
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
64.
Effect of stage synchronization error of KrF scan on 0.18-um patterning
机译:
KrF扫描的阶段同步误差对0.18um图案的影响
作者:
Takayuki Uchiyama
;
NEC Corp.
;
Sagamihara Kanagawa
;
Japan
;
Takeo Hashimoto
;
NEC Corp.
;
Kanagawa
;
Japan
;
Masashi Fujimoto
;
NEC Corp.
;
Sagamihara Kanagawa
;
Japan
;
Seiji Matsuura
;
NEC Corp.
;
Sagamihara Kanagawa
;
Japan
;
Tamio Yamazaki
;
NEC Corp.
;
Sagamihara Ka
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
65.
DUV stability of carbon films for attenuated phase-shift mask a
机译:
衰减相移掩模a的碳膜的DUV稳定性
作者:
Alessandro Callegari
;
IBM Thomas J. Watson Research Ctr.
;
Yorktown Heights
;
NY
;
USA
;
Katherina Babich
;
IBM Thomas J. Watson Research Ctr.
;
Yorktown Heights
;
NY
;
USA
;
Fuad Doany
;
IBM Thomas J. Watson Research Ctr.
;
Yorktown Heights
;
NY
;
USA
;
Frank Cardone
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
66.
Development of an integrated 3D lithography simulator
机译:
集成3D光刻模拟器的开发
作者:
Choong-Ki Seo
;
Inha Univ.
;
Inchon
;
South Korea
;
Seung Gol Lee
;
Inha Univ.
;
Nam-gu Inchon
;
South Korea
;
Jong-Ung Lee
;
Chongju Univ.
;
Chongju
;
South Korea.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
67.
Differences in pattern displacement error under different illumination conditions
机译:
不同光照条件下图案位移误差的差异
作者:
Nakgeuon G. Seong
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Yongin-city Kyungki-Do
;
South Korea
;
Jongwook Kye
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Yongin-City
;
Kyungki-Do
;
South Korea
;
Ho Young Kang
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Suwon City
;
South Korea
;
Jootae Moon
;
S
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
68.
Lithographic effects of mask critical dimension error
机译:
掩模临界尺寸误差的光刻效果
作者:
Alfred K. Wong
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Richard A. Ferguson
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Lars W. Liebmann
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Scott M. Mansfield
;
IBM Microelectr
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
69.
Lithographic process simulation for scanners
机译:
扫描仪的光刻工艺仿真
作者:
Andreas Erdmann
;
Fraunhofer Institute for Silicon Technology
;
Itzehoe
;
Germany
;
Michael Arnz
;
Carl Zeiss
;
Oberkochen
;
Germany
;
Mireille Maenhoudt
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Jan Baselmans
;
ASM Lithography BV
;
Veldhoven
;
Netherlands
;
J.C. van Osnabrugge
;
ASM L
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
70.
Killer defects caused by localized sub-100-nm critical dimension reticle errors
机译:
局域性的100 nm以下临界尺寸标线片错误导致的杀手级缺陷
作者:
Anthony Vacca
;
KLA-Tencor Corp.
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Benjamin G. Eynon
;
Jr.
;
DuPont Photomasks
;
Inc.
;
Round Rock
;
TX
;
USA
;
Steve Yeomans
;
Micron Technology
;
Boise
;
ID
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
71.
Coping with the impact of lens aberrations in the context of wavefront engineering
机译:
在波前工程中应对镜头像差的影响
作者:
Armen Kroyan
;
Rice Univ.
;
Houston
;
TX
;
USA
;
Marc D. Levenson
;
Microlithography World
;
Campbell
;
CA
;
USA
;
Frank K. Tittel
;
Rice Univ.
;
Houston
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
72.
Cross-sectional critical shape error: a novel methodology for quantifying process simulation accuracy
机译:
横截面临界形状误差:量化过程仿真精度的新方法
作者:
Mark E. Mason
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
Robert A. Soper
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
73.
Chromatic aberration-free TTL alignment system for 193-nm step-and-scan exposure system by using phase conjugate waves
机译:
使用相位共轭波的193 nm步进扫描曝光系统的无色差TTL对准系统
作者:
Jin H. Kwon
;
Yeungnam Univ.
;
Gyongsan
;
South Korea
;
Yeung J. Sohn
;
Yeungnam Univ.
;
USA
;
Hyo C. Hwang
;
Yeungnam Univ.
;
Gyongsan
;
South Korea
;
Doh H. Kim
;
Electronics
;
Telecommunications Research Institute
;
Yusong
;
Taejon
;
South Korea
;
Hai Bin Chung
;
Electr
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
74.
Benchmarking of software tools for optical proximity correction
机译:
光学接近度校正软件工具的基准测试
作者:
Angelika Jungmann
;
Siemens AG
;
Munich
;
Germany
;
Joerg Thiele
;
Siemens AG
;
Munich
;
Germany
;
Christoph Friedrich
;
Siemens AG
;
Muenchen
;
Germany
;
Rainer Pforr
;
SIMEC GmbH
;
Dresden
;
Germany
;
Wilhelm Maurer
;
Siemens AG
;
Muenchen
;
Germany.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
75.
ArF excimer laser for 193-nm lithography
机译:
用于193 nm光刻的ArF准分子激光器
作者:
Uwe Stamm
;
Lambda Physik GmbH
;
Goettingen
;
Germany
;
Reiner Paetzel
;
Lambda Physik GmbH
;
Goettingen
;
Germany
;
Juergen Kleinschmidt
;
Lambda Physik GmbH
;
Goettingen
;
Germany
;
Klaus Vogler
;
Lambda Physik GmbH
;
Goettingen
;
Germany
;
Wolfgang Zschocke
;
Lambda Ph
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
76.
Bottom-ARC optimization methodology for 0.25-um lithography and beyond
机译:
适用于0.25um及以下光刻的Bottom-ARC优化方法
作者:
Maaike Op de Beeck
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Geert Vandenberghe
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Patrick Jaenen
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Feng-Hong Zhang
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Christie Delvaux
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Paul Richardson
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Ilse van
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
77.
Characterization of spatial coherence uniformity in exposure tools
机译:
曝光工具中空间相干一致性的特征
作者:
Ilya M. Grodnensky
;
Nikon Precision Inc.
;
Foster City
;
CA
;
USA
;
Etsuya Morita
;
Nikon Precision Inc.
;
Belmont
;
CA
;
USA
;
Kyoichi Suwa
;
Nikon Corp.
;
Shinagawa Tokyo
;
Japan
;
Shigeru Hirukawa
;
Nikon Corp.
;
Shinagawa-ku
;
Tokyo
;
Japan.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
78.
Characterizing the absorption and aging behavior of DUV optical material by high-resolution excimer laser calorimetry
机译:
通过高分辨率准分子激光量热法表征DUV光学材料的吸收和老化行为
作者:
Klaus R. Mann
;
Laser Lab. Goettingen e.V.
;
Goettingen
;
Germany
;
Eric Eva
;
Laser Lab. Goettingen e.V.
;
Goettingen
;
Germany.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
79.
CD control comparison of step-and-repeat versus step-and-scan DUV lithography for sub-0.25-um gate printing
机译:
0.25微米以下栅极印刷的步进印刷与步进扫描DUV光刻的CD控制比较
作者:
Kurt Ronse
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Mireille Maenhoudt
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Thomas Marschner
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Luc Van den hove
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Bob Streefkerk
;
ASM Lithography BV
;
Veldhoven
;
Netherlands
;
Jo Finders
;
ASM Lithography BV
;
Vel
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
80.
CD control for quarter-micron logic device gates using iso-pitch bias
机译:
使用等间距偏置对四分之一微米逻辑器件门进行CD控制
作者:
Young-Chang Kim
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Yongin-City
;
Kyoungki-Do
;
South Korea
;
Gi-Sung Yeo
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Yongin-City
;
Kyoungki-Do
;
South Korea
;
Hye-soo Shin
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Yongin-City
;
Kyoungki-Do
;
South Korea
;
H
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
81.
Alignment performance versus mark quality
机译:
对准性能与标记质量
作者:
Joseph P. Kirk
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Jung H. Yoon
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Jct
;
NY
;
USA
;
Timothy J. Wiltshire
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Jct
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
82.
New method for improving the practical resolution of complex patterns in sub-half-micron lithography
机译:
在亚半微米光刻中提高复杂图案的实际分辨率的新方法
作者:
Xunan Chen
;
Institute of Optics
;
Electronics
;
Chengdu Sichuan
;
China
;
Xiangang Luo
;
Institute of Optics
;
Electronics
;
Sichuan
;
China
;
Hanmin Yao
;
Institute of Optics
;
Electronics
;
Shuangliu
;
Chengdu
;
China
;
Qian Xiao
;
Institute of Optics
;
Electronics
;
Academi
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
83.
New projection optical system for beyond 150-nm patterning with KrF and ArF sources
机译:
使用KrF和ArF光源进行超过150 nm图案化的新型投影光学系统
作者:
Shigeru Hirukawa
;
Nikon Corp.
;
Shinagawa-ku
;
Tokyo
;
Japan
;
Koichi Matsumoto
;
Nikon Corp.
;
Shinagawa-ku Tokyo
;
Japan
;
Kengo Takemasa
;
Nikon Corp.
;
Kumagaya-shi Saitama
;
Japan.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
84.
New distortion metrology using reticle coordinate error
机译:
利用掩模版坐标误差的新畸变计量
作者:
Izumi Tsukamoto
;
Canon Inc.
;
Utsunomiya-shi Tochigi
;
Japan
;
Hirohiko Shinonaga
;
Canon Inc.
;
Utsunomiya-shi Tochigi
;
Japan.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
85.
Subresolution assist feature and off-axis illumination optimization for 200- and 240-nm contact windows using 248-nm lithography
机译:
使用248 nm光刻技术对200和240 nm接触窗进行亚分辨率辅助功能和离轴照明优化
作者:
George P. Watson
;
Lucent Technologies/Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Raymond A. Cirelli
;
Lucent Technologies/Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Allen G. Timko
;
Lucent Technologies/Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Omkaram Nalamasu
;
Lucent Technologies/B
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
86.
Three-dimensional photolithography simulator including rigorous nonplanar exposure simulation for off-axis illumination
机译:
三维光刻模拟器,包括用于离轴照明的严格非平面曝光模拟
作者:
Heinrich Kirchauer
;
Technical Univ. Vienna
;
Vienna
;
Austria
;
Siegfried Selberherr
;
Technical Univ. Vienna
;
Vienna
;
Austria.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
87.
Three-dimensional mask transmission simulation using a single integral equation method
机译:
使用单个积分方程法的三维掩模透射模拟
作者:
Michael S. Yeung
;
Boston Univ.
;
Boston
;
MA
;
USA
;
Eytan Barouch
;
Boston Univ.
;
Boston
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
88.
Use of melting inorganic photoresist for microlens array fabrication
机译:
熔融无机光致抗蚀剂在微透镜阵列制造中的用途
作者:
Chang Tai Yu
;
Zhejiang Univ.
;
Hangzhou Zhejiang
;
China
;
Fengzhen Guo
;
Zhejiang Univ.
;
Hangzhou Zhejiang
;
China
;
Ying Chen
;
Zhejiang Univ.
;
Hangzhou
;
China
;
Hua Yu
;
Cymer Corp.
;
San Diego
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
89.
New method for optical proximity correction with gray-level serifs
机译:
用灰度衬线进行光学邻近校正的新方法
作者:
Jinglei Du
;
Sichuan Univ.
;
Chengdu Sichuan
;
China
;
Qizhong Huang
;
Sichuan Univ.
;
Chengdu Sichuan
;
China
;
Yongkang Guo
;
Sichuan Univ.
;
Chengdu Sichuan
;
China
;
Zheng Cui
;
Rutherford Appleton Lab.
;
Chilton
;
Didcot Oxon
;
United Kingdom.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
90.
NA optimization of 360-nm and 300-nm pitch devices
机译:
360 nm和300 nm间距器件的NA优化
作者:
Hyoungjoon Kim
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Kyungki-do
;
South Korea
;
Sunggi Kim
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Yongin-City
;
Kyungki-Do
;
South Korea
;
Changhwan Kim
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Yongin-Goon
;
Kyungki-Do
;
South Korea
;
Jinseog Hong
;
Sams
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
91.
Novel a
机译:
小说一
作者:
Chang-Nam Ahn
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-si
;
Kyoungki-do
;
South Korea
;
Hee-Bom Kim
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-si
;
Kyoungki-do
;
South Korea
;
Ki-Ho Baik
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-si
;
Kyoungk
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
92.
Accurate proximity correction method with total-process proximity-based correction factor (TCF)
机译:
基于全过程基于接近度的校正因子(TCF)的精确接近度校正方法
作者:
Kohji Hashimoto
;
Toshiba Corp.
;
Yokohama
;
Japan
;
Satoshi Usui
;
Toshiba Corp.
;
Yokohama
;
Japan
;
Shigeru Hasebe
;
Toshiba Corp.
;
Kawasaki
;
Japan
;
Masayuki Murota
;
Toshiba Corp.
;
Kawasaki
;
Japan
;
Takeo Nakayama
;
Toshiba Corp.
;
Saiwai-ku Kawasaki
;
Japan
;
Fumit
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
93.
Optimization of DUV photolithography for sub-250-nm technology: contact patterning with attenuated phase-shift mask
机译:
用于250纳米以下技术的DUV光刻技术的优化:带有衰减相移掩模的接触图案
作者:
Lay-Cheng Choo
;
Nanyang Technological Univ.
;
Singapore
;
Singapore
;
Siu-Chung Tam
;
Nanyang Technological Univ.
;
Singapore
;
Singapore
;
Alex Cheng
;
Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd.
;
USA
;
Ida C. Ho
;
Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd.
;
Singap
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
94.
Optimization of ARC process in DUV lithography
机译:
DUV光刻中ARC工艺的优化
作者:
Kyung-Jin Shim
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Kyoungki-do
;
South Korea
;
Byoung-Il Choi
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-kun
;
Kyoungki-do
;
South Korea
;
Ki-Yeop Park
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Kyoungki-do
;
South K
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
95.
Performance of an i-line step-and-scan system for sub-0.25-um mix-and-match a
机译:
i-line步进扫描系统在0.25um以下混合和匹配的性能
作者:
Peter van Oorschot
;
ASM Lithography BV
;
Veldhoven
;
Netherlands
;
Bert Koek
;
ASM Lithography BV
;
Veldoven
;
Netherlands
;
Jeroen van der Spek
;
ASM Lithography BV
;
Veldhoven
;
Netherlands
;
Eric Stuiver
;
ASM Lithography BV
;
Veldhoven
;
Netherlands
;
Hans Franken
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
96.
Pupil illumination: in-situ measurement of partial coherence
机译:
学生照明:局部相干的原位测量
作者:
Joseph P. Kirk
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Christopher J. Progler
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Jct
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
97.
Quasi-physical model for fast resist contour simulation: importance of lens aberrations and acid diffusion in LSI pattern design
机译:
快速光刻胶轮廓模拟的准物理模型:透镜像差和酸扩散在LSI图案设计中的重要性
作者:
Hiroshi Fukuda
;
Hitachi Central Research Lab.
;
Kokubunji-shi
;
Tokyo
;
Japan
;
Keiko T. Hattori
;
Hitachi Central Research Lab.
;
Kokubunji Tokyo
;
Japan.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
98.
Proposal of a composite phase-shifting mask for 0.15-um hole-pattern delineation using KrF exposure
机译:
关于使用KrF曝光进行0.15um孔图案描绘的复合相移掩模的建议
作者:
Norio Hasegawa
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Ome-shi Tokyo
;
Japan
;
Katsuya Hayano
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Tokyo
;
Japan
;
Akira Imai
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Ome-shi Tokyo
;
Japan
;
Naoko Asai
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Ome-shi Tokyo
;
Japan
;
Shinji Okazaki
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Ome-shi Tokyo
;
Japan.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
99.
Resist and oxide thickness effect on process window for 0.2-um contact patterns with off-axis illumination and attenuated phase-shift mask
机译:
带有离轴照明和衰减相移掩模的0.2um接触图案的工艺窗口上的抗蚀剂和氧化物厚度影响
作者:
Chuen-Huei Yang
;
Industrial Technology Research Institute
;
Chutung Hsinchu
;
Taiwan
;
Chang-Ming Dai
;
Industrial Technology Research Institute
;
Hsinchu
;
Taiwan.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
100.
Reformulation for latent image formation model in photolithography using numerical absorbing boundary condition
机译:
利用数值吸收边界条件重构光刻中潜像形成模型
作者:
In-Ho Park
;
Univ. of Inchon
;
Inchon
;
South Korea
;
Hye-Keun Oh
;
Hanyang Univ.
;
Ansan Kyunggido
;
South Korea
;
S. B. Hyun
;
Korea Advanced Institute of Science
;
Technology
;
Taejeon
;
South Korea.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
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