• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文会议>Optical Microlithography XI >ArF lasers for production of semiconductor devices with CD<0.15 um
【24h】

ArF lasers for production of semiconductor devices with CD<0.15 um

机译：ArF激光器用于生产CD <0.15 um的半导体器件

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Abstract: The present day notion of the extensibility of KrF laser technology to ArF is revisited. We show that a robust solution to ArF requirements can be met by significantly altering the laser's core technology-discharge chamber, pulsed power and optics. With these changes, a practical ArF tool can be developed. Some of the laser specifications are: Bandwidth: 0.6 pm (FWHM) 1.75 pm (95% Included Energy); Average Power: 5 W; Repetition Rate: 1000 Hz; Energy Stability (3$sigma@): 20% (burst mode) 8% (continuous); Pulse Width: 25 ns. !6
机译：摘要：如今，人们重新审视了KrF激光技术对ArF的可扩展性。我们证明，通过显着改变激光器的核心技术-放电室，脉冲功率和光学器件，可以满足ArF要求的强大解决方案。通过这些更改，可以开发出实用的ArF工具。某些激光器规格如下：带宽：0.6 pm（FWHM）1.75 pm（包括95％的能量）；平均功率：5 W；重复频率：1000 Hz;能量稳定性（3 $ sigma @）：20％（突发模式）8％（连续）;脉冲宽度：25 ns。 ！6

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号