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首页> 外文会议>Optical Microlithography XI >Optimization of DUV photolithography for sub-250-nm technology: contact patterning with attenuated phase-shift mask
【24h】

Optimization of DUV photolithography for sub-250-nm technology: contact patterning with attenuated phase-shift mask

机译：用于250纳米以下技术的DUV光刻技术的优化：带有衰减相移掩模的接触图案

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摘要

Abstract: Attenuated phase shift mask (APSM) has been considered a viable technique for contact patterning. For 250 nm lithography technology, 300 nm contact patterns are to be defined. In this paper, Solid-C has been used for aerial image simulations. Conventional and annular illumination settings are optimized for better focus latitudes, that is, large depth-of-focus (DOF), for sufficient throughput. In addition, mask transmission is optimized for different illumination settings. From our simulations of aerial images, it has been shown that a DOF of 1.35 micrometer is achieved when conventional illumination is combined with APSM at high mask transmission (approximately 8 - 10%). However a larger DOF of 1.55 micrometer can be obtained when annular illumination is used with APSM at low mask transmission (approximately 3 - 4%). !10
机译：摘要：衰减相移掩膜（APSM）被认为是一种可行的接触构图技术。对于250 nm光刻技术，将定义300 nm接触图案。在本文中，Solid-C已用于航拍图像仿真。常规照明和环形照明设置经过优化，以实现更好的聚焦范围，即大景深（DOF），从而获得足够的吞吐量。此外，遮罩透射针对不同的照明设置进行了优化。从我们对航空影像的模拟中可以看出，当传统照明与APSM在高掩模透射率（约8-10％）下结合使用时，DOF为1.35微米。但是，当在低掩模透射率下（约3-4％）与APSM一起使用环形照明时，可以获得1.55微米的较大DOF。 ！10

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