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首页> 外文会议>Optical Microlithography XI >Quasi-physical model for fast resist contour simulation: importance of lens aberrations and acid diffusion in LSI pattern design
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Quasi-physical model for fast resist contour simulation: importance of lens aberrations and acid diffusion in LSI pattern design

机译：快速光刻胶轮廓模拟的准物理模型：透镜像差和酸扩散在LSI图案设计中的重要性

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Abstract: The aberration in optics and acid diffusion in resist films have a great influence on proximity effects in optical lithography. Our analysis clarified that (1) a local (random) pupil-phase variation (higher-order aberration) degrades imaging performance under highly coherent illumination often used with periodic phase-shifting masks, and (2) in some positive-tone chemically amplified resists, the non-Fickean diffusion process changes effective image distributions, depending on the patterns features and mask tonality. Although the latter has a potential to achieve high resolution capability for isolated bright features, these effects generally pronounce proximity effects and make their correction difficult. Simple modeling of these effects and their simulation implementation are also discussed. !10
机译：摘要：光学像差和抗蚀剂膜中的酸扩散对光刻中的邻近效应有很大影响。我们的分析表明，（1）局部（随机）的瞳孔相位变化（高阶像差）在经常与周期性相移掩模一起使用的高度相干照明下会降低成像性能，以及（2）在某些正性化学放大型抗蚀剂中，非菲尼克斯扩散工艺会根据图案特征和掩膜色调改变有效的图像分布。尽管后者有可能为孤立的明亮特征实现高分辨率功能，但是这些效果通常会发出接近效果，并使其难以校正。还讨论了这些效应的简单建模及其仿真实现。 ！10

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