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Lithography of 180-nm design rule for 1-Gb DRAM

机译：1-Gb DRAM的180-nm设计规则光刻

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Abstract: Optical lithography is the most fundamental technology for the development of 1 Gbit DRAM device. As a current status, KrF lithography is a powerful candidate for 180 nm generation because of relatively high cost of ArF lithography and its untimely applicability to mass production. In this paper, we showed that the optimized OAI system with large quadrupole offset and small opening could improve the resolution and process margin in the photo process of 180 nm level DRAM devices. We also demonstrated what the effect of CD amplification factor ($alpha@) was related to the mask CD control and resist tone under the optimized OAI system. The result shows that the combination of the optimized OAI system and positive tone resist can give rise to the reduction of $alpha from 4.5 to almost 1 and provide a reasonable margin. !7
机译：摘要：光刻技术是发展1 Gbit DRAM器件的最基本技术。目前，由于ArF光刻的相对较高的成本及其不适当地应用于大规模生产的可能性，KrF光刻是180 nm产生的有力选择。在本文中，我们表明，具有大四极杆偏置和小开口的优化OAI系统可以提高180 nm级别DRAM器件的光工艺分辨率和工艺裕度。我们还演示了在优化的OAI系统下，CD放大因子（$ alpha @）的效果与掩模CD的控制和抗蚀剂色调有什么关系。结果表明，优化的OAI系统和正性抗蚀剂的组合可以使$ alpha从4.5降低到几乎1，并提供合理的余量。 ！7

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