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30nm级4Gb DDR3DRAM：DRAM

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三星电子推出量产30nm级4GbitsDDR3DRAM基板的32GB内存模块。内存模组具有高性能、低功耗、大容量等特点，能够在1．35V的电压下达到1．866Mbps传输速度，

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来源
《世界电子元器件》 |2011年第7期|32-32|共1页
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正文语种 chi
中图分类存贮器;
关键词
DRAM; m级; 4Gb; 内存模块; 三星电子; 内存模组; 传输速度; 低功耗;

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