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【24h】

Energy Level Properties of Coupled Quantum Well and the Optimal Design for Traveling-Wave Modulators

机译:耦合量子阱的能级特性及行波调制器的优化设计

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摘要

The formation of the ground states in a GaAs/AlGaAs asymmetric coupled quantum-well is analyzed with the use of coupled-mode theory. Based on perfect work condition of traveling-wave modulators, the GaAs/AlGaAs coupled quantum-well is optimized and the optimal coupled quantum well has a large electro-refractive index change at low absorption loss.
机译:利用耦合模式理论分析了GaAs / AlGaAs非对称耦合量子阱中基态的形成。基于行波调制器的理想工作条件,对GaAs / AlGaAs耦合量子阱进行了优化,最优耦合量子阱在低吸收损耗下具有较大的电折射率变化。

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