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包括具有非对称多能级的三耦合量子阱结构的光器件

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提供一种光器件，包括有源层，该有源层包括两个外势垒和该两个外势垒之间的耦合量子阱。该耦合量子阱包括：第一量子阱层；第二量子阱层；第三量子阱层；第一耦合势垒，在第一量子阱层与第二量子阱层之间；以及第二耦合势垒，在第二量子阱层与第三量子阱层之间。第二量子阱层在第一量子阱层与第三量子阱层之间。第二量子阱层的能带隙小于第一量子阱层的能带隙，而且第三量子阱层的能带隙等于或小于第二量子阱层的能带隙。

著录项

公开/公告号CN106980188B

专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-11

原文格式PDF
申请/专利权人三星电子株式会社;
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申请/专利号CN201611186285.8
发明设计人罗炳勋;朴昌泳;朴勇和;
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申请日2016-12-20
分类号G02F1/017(20060101);H01L31/0352(20060101);H01L31/075(20120101);H01L31/105(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人钱大勇
地址韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 13:00:37

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