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PV Metamaterial Based on Nanostructured Si

机译：基于纳米结构硅的光伏超材料

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There are several ways to nanostructure Si. Some of them, e.g. nanoscale Si-layerd systems buried within the n~+ layer of a crystalline Si can provide an initial material with unpredicted optoelectronic behavior. Such a transformation leads to a PV Si metamaterial, whose optoelectronic properties arise from qualitatively new response functions that are (ⅰ) not observed in the constituent materials and (ⅱ) result from the inclusion of artificially fabricated, intrinsic and extrinsic, low-dimensional components. We show that an extremely strong c-Si:P absorptance, determined by the free-carrier population, is larger than can result from conventional conversion. The density of the population confined within the surface layer delimited by the nanoscale Si-layerd system increases by injection of additional carriers from a nanostratum (transformed up to a Si-metamaterial) lying just behind the top c-Si:P-layer.
机译：有多种纳米结构化Si的方法。其中一些，例如掩埋在晶体硅的n〜+层中的纳米级硅层系统可以为初始材料提供不可预测的光电行为。这种转变导致PV Si超材料，其光电性能来自定性新的响应函数，这些响应函数在成分材料中未观察到（ⅰ），并且（ⅱ）由于包含了人工制造的，固有的和非固有的低尺寸成分而产生。我们表明，由自由载流子群体确定的极强的c-Si：P吸收率大于常规转化所产生的吸收率。通过从刚好位于顶部c-Si：P层后面的纳米层（转化为Si-金属材料）注入额外的载流子，限制了被纳米级Si层系统界定的表面层内的总体密度。

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