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首页> 外文会议>Proceedings of the 46th Annual Design Automation Conference >Carbon nanotube circuits in the presence of carbon nanotube density variations
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Carbon nanotube circuits in the presence of carbon nanotube density variations

机译：存在碳纳米管密度变化的碳纳米管电路

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Carbon Nanotubes (CNTs) are grown using chemical synthesis. As a result, it is extremely difficult to ensure exact positioning and uniform density of CNTs. Density variations in CNT growth can compromise reliability of Carbon Nanotube Field Effect Transistor (CNFET) circuits, and result in increased delay variations. A parameterized model for CNT density variations is presented based on experimental data extracted from aligned CNT growth. This model is used to quantify the impact of such variations on design metrics such as noise margin and delay variations of CNFET circuits. Finally, we analyze correlation that exists in aligned CNT growth, and demonstrate how the reliability of CNFET circuits can be significantly improved by taking advantage of such correlation.
机译：碳纳米管（CNTs）使用化学合成方法生长。结果，极其难以确保CNT的精确定位和均匀密度。 CNT生长中的密度变化会损害碳纳米管场效应晶体管（CNFET）电路的可靠性，并导致延迟变化增加。基于从对齐的CNT生长中提取的实验数据，提出了CNT密度变化的参数化模型。该模型用于量化此类变化对设计指标的影响，例如噪声容限和CNFET电路的延迟变化。最后，我们分析了对准的CNT生长中存在的相关性，并演示了如何利用这种相关性显着提高CNFET电路的可靠性。

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