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首页> 外文会议>Proceedings of the 46th Annual Design Automation Conference >Fault models for embedded-DRAM macros
【24h】

Fault models for embedded-DRAM macros

机译：嵌入式DRAM宏的故障模型

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摘要

In this paper, we compare embedded-DRAM (eDRAM) testing to both SRAM testing and commodity-DRAM testing, since an eDRAM macro uses DRAM cells with an SRAM interface. We first start from an standard SRAM test algorithm and discuss the faults which are not covered in the SRAM testing but should be considered in the DRAM testing. Then we study the behavior of those faults and the tests which can detect them. Also, we discuss how likely each modeled fault may occur on eDRAMs and commodity DRAMs, respectively.
机译：在本文中，我们将嵌入式DRAM（eDRAM）测试与SRAM测试和商用DRAM测试进行了比较，因为eDRAM宏使用具有SRAM接口的DRAM单元。我们首先从标准的SRAM测试算法开始，讨论SRAM测试中未涵盖但在DRAM测试中应考虑的故障。然后，我们研究这些故障的行为以及可以检测到它们的测试。另外，我们讨论了每种建模故障分别在eDRAM和商品DRAM上发生的可能性。

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