首页> 外文会议>2018年第65回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 >分子イオン注入エピウェーハの製品特性(5): 3次元アトムプローブ法を用いたCH3Oイオン注入ウェーハに形成される注入欠陥のゲッタリング挙動解析-
【24h】

分子イオン注入エピウェーハの製品特性(5): 3次元アトムプローブ法を用いたCH3Oイオン注入ウェーハに形成される注入欠陥のゲッタリング挙動解析-

机译:分子离子注入外延晶圆的产品特性(5):使用3D原子探针法分析CH3O离子注入晶圆中形成的注入缺陷的吸杂行为-

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摘要

CMOSイメージセンサの製造工程における重金属汚染は,デバイス特性を劣化させる主要因となるため,デバイス活性領域から重金属を除去するゲッタリング技術が重要視されている.近年,炭素©,水素(H),酸素(O)で構成された多元素分子CH3Oイオンをシリコン(Si)ウェーハに注入することで,(111)方向に1原子層導入される積層欠陥が形成されることが透過電子顕微鏡(TEM)による断面観察から確認された1).この欠陥はC,Hのみで構成される炭素クラスターイオン注入Siウェーハでは確認されておらず,さらにゲッタリング能力を持つことが推察される.そこで我々は,CH3Oイオン注入Siウェーハを銅(Cu)汚染し,レーザー補助型3次元アトムプローブ法(APT)を用いて積層欠陥の原子分布を解析したので,その結果について報告する.
机译:CMOS图像传感器制造过程中的重金属污染是使器件性能下降的主要因素,因此从器件有源区去除重金属的吸杂技术很重要。近来,通过将由碳,氢(H)和氧(O)组成的多元素分子CH3O离子注入到硅(Si)晶片中,形成了在(111)方向引入一个原子层的堆叠缺陷。通过透射电子显微镜(TEM)1的截面观察来确认。在仅由C和H组成的碳簇离子注入的Si晶片中尚未确认该缺陷,并且推测其具有吸杂能力。因此,我们通过使用激光辅助三维原子探针法(APT)用铜(Cu)污染了CH3O离子注入的硅晶片,分析了堆垛层错的原子分布。

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