首页> 外文会议>2018年第65回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 >2段階,を用いたFTS法によるi-a-Si:Hパッシベーシヨン膜
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2段階,を用いたFTS法によるi-a-Si:Hパッシベーシヨン膜

机译:I-a-Si:H钝化膜通过FTS方法分两步进行

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摘要

性水素化ァモルファスシリコン(i-a-Si:H)rnは結晶Si太陽電池のパッシベーシヨン膜とし て重要である.我々は毒性•爆発性ガスを使用 しないi-a-Si:Hパッシベーシヨン膜の製膜手法 として,対向ターゲットスパッタ(FTS)法を提 案し,膜厚45 nm程度のi-a-Si:Hを用いた場合 には十分なパッシベーシヨン効果が得られる ことを報告している[1].しかし,実際にシリコ ンヘテロ接合太陽電池に用いる5-7 nm程度の 膜厚においては,パッシベーシヨン効果がまだ 十分ではないという問題がある.本報告では, 初期の1nm程度のみを低パワー条件で製膜す る2段階製膜法を用いることによりパッシベ ーシヨン効果を改善した結果を報告する.
机译:非晶态氢化硅(ia-Si:H)rn作为晶体硅太阳能电池的钝化膜非常重要,我们使用的ia-Si:H钝化膜不使用有毒或爆炸性气体。我们提出了一种反靶溅射(FTS)方法,并报道了当使用膜厚约为45 nm的ia-Si:H时,可以获得足够的钝化效果[1]。但是,存在硅异质结太阳能电池中使用的约5〜7nm的膜厚的钝化效果不充分的问题,在该报告中,在低功率条件下仅形成约1nm的初始膜厚。我们报告了通过使用逐步成膜方法改善钝化效果的结果。

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