ZnO系透明導電膜の特性とPLスペクトルの対応 Ⅱ

机译：ZnO基透明导电膜的特性与PL光谱的对应关系II

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我々はZnO透明導電膜の特性と発光スペクトルを関連づけることで、導電性の起源rnとなる格子欠陥の構造に迫ることを目的に研究を行っている。前回は、最適条件で成膜した高透rn明で低抵抗なZnO膜、格子間Znを含み可視域に吸収のあるZnO膜、および酸素ガス導入によりZnrn空孔などの格子乱れを生じたZnO膜のPL特性について報告した。今回さらにプロセス条件を振るrnことで生じる変化として、成膜時の温度の影響とプラズマ照射の影響について調べた。

机译：我们正在进行研究，其目的是通过将ZnO透明导电膜的特性与发射光谱联系起来，从而探究晶格缺陷的结构，晶格缺陷的结构是电导率的起源。上一次，在最佳条件下形成了具有高透明度和低电阻的ZnO膜，包含间隙Zn并在可见光区域具有吸收的ZnO膜，以及由于氧气的引入而引起晶格无序的ZnO，例如Znrn空位。报道了膜的PL特性。这次，我们研究了成膜过程中温度的影响和等离子体辐照的影响，这些变化是由改变工艺条件引起的。

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来源
《2018年第65回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集》|2018年|16.27|共1页
会议地点
作者
赤沢方省;
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作者单位

NTT デバイスイノベーションセンタ akazawa.housei@lab.ntt.co.jp;

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