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首页> 外文会议>2018年第65回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 >パルスレーザー堆積法によるP:SnO_2薄膜の作製
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パルスレーザー堆積法によるP:SnO_2薄膜の作製

机译：脉冲激光沉积法制备P：SnO_2薄膜

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SnO2は代表的なワイドギャップ酸化物半導体であり、太陽電池の透明電極として広く実用化さ れている。基礎'応用の両面で重要となるSnO2薄膜の電子輸送特性は、Ta5+、 Sb5+ Nb5+といった5価不 純物をドープすることで制御することができる。近年理論計算により、価数の安定性とFormation energyの 面でP5+がSnO2のドーパントとして有望であることが示された[1][2]。実験面では、これまで化学気相成長 (CVD)法によるP添加SnO2 (PTO)薄膜の作製が報告されている[3]が、そのドーピング効率は比較的低 レ、(~1O%)。そこで本研究では、より非平衡での薄膜成長が可能な物理気相成長法であるパルスレーザ 一堆積(PLD)法を用いてPTO薄膜を作製し、その電子輸送特性を調べた。
机译：SnO 2是典型的宽间隙氧化物半导体，并且被广泛用作太阳能电池的透明电极。 SnO2薄膜的电子传输特性对碱性和应用都很重要，可以通过掺杂五价杂质（例如Ta5 +，Sb5 + Nb5 +）来控制。最近的理论计算表明，就价态稳定性和形成能而言，P5 +是有希望的SnO2掺杂剂[1] [2]。在实验上，到目前为止，已经报道了通过化学气相沉积（CVD）制备P掺杂SnO2（PTO）薄膜的方法[3]，但其掺杂效率相对较低（〜10％）。因此，在这项研究中，使用脉冲激光沉积（PLD）方法制备了PTO薄膜，该方法是一种能够使薄膜生长更加平衡的物理气相沉积方法，并对其电子传输性能进行了研究。

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