CVD法Sb掺杂SnO_2薄膜的制备、性能及应用研究

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本论文全面介绍了节能镀膜玻璃,特别是低辐射镀膜玻璃的发展概况、节能特性、原理、低辐射膜的种类以及常用的制备方法等,并总结得出高掺杂宽禁带半导体材料如SnO2等以其优良的光电性能、低廉的原料价格和方便的制备工艺,能够成为经济性节能镀膜玻璃的主要膜层原料。常压化学气相沉积法以其设备简单、成本低、易实现大面积镀膜等优点成为一种很有应用潜力的制备SnO2薄膜的方法,在镀膜玻璃的工业化生产中有广阔的应用前景。经过大量的文献查阅和前期研究工作基础上,本文提出以金属有机物C4H9SnCl3(单丁基三氯化锡,MBTC)和SbCl3为先驱体,采用常压热分解化学气相沉积法制备Sb掺杂SnO2透明导电薄膜,运用XRD、SEM、TEM、XPS、四探针电阻仪、紫外可见光谱仪等手段对制备的薄膜样品进行了测试和分析。其典型样品的薄膜厚度为228nm、方块电阻为46Ω/□,可见光区平均透射率和反射率分别为65％和12％,红外反射率为48％(3000nm处)。

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作者
谢莲革;
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作者单位

浙江大学;

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授予单位浙江大学;
学科材料学
授予学位硕士
导师姓名韩高荣;
年度 2005
页码
总页数
原文格式 PDF
正文语种中文
中图分类有机物复层保护;
关键词
镀膜玻璃; 低辐射膜; 基板温度; 沉积时间; 金属有机物;

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