アモルファス酸化物薄膜のトランスバース型フレキシブル熱電変換素子

机译：非晶氧化物薄膜的横向柔性热电转换元件

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アモルファスInGaZnO(IGZO)はディスプレイの駆動素子として注目を浴びているn型酸化物半導体である。IGZOはバンドギヤップが広く，可視光において透明で低温プロセスで作製が可能であることから，フレキシブルな基板上への形成にも適している。さらに酸化物半導体は作製プ口セスがすでに確立しており，回路の集積や積層が容易である。またIGZOは比較的大きなゼーベック係数を持つことが知られているので，熱電変換素子へ適用することで，透明でフレキシブルな熱発電デバイスの実現が期待される。熱電変換素子(Thermoelectric Generator,TEG)は一般にn型材料とp型材料を直列に繋いで縦方向に伝熱させる7：型構造で構成される場合が多いが，本研究では薄膜熱電材料を用いて素子の作製を行うため，面内に横方向の伝熱を実現して高レヽ電力密度を確保することができるトランスバース型という構造を採用した[1]。

机译：非晶InGaZnO（IGZO）是一种n型氧化物半导体，作为显示器的驱动元件已引起关注。 IGZO具有宽带隙，对可见光透明，并且可以通过低温工艺制造，因此它也适合在柔性基板上成型。此外，已经建立了氧化物半导体的制造工艺，并且易于集成和堆叠电路。由于已知IGZO具有相对较大的塞贝克系数，因此期望通过将其应用于热电转换元件来实现透明且柔性的热电器件。热电转换器（TEG）通常由7：型结构组成，其中n型和p型材料串联连接，并且热量沿垂直方向传递。为了使用横向型来制造该器件，我们采用了一种称为横向型的结构，该结构可以实现平面内的横向传热并确保较高的激光功率密度[1]。

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来源
《2018年第65回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集》|2018年|8.96|共1页
会议地点
作者
梅田鉄馬; 上沼睦典; 瀬名波大貴; Jenichi Felizco; 石河泰明; 浦岡行治; 足立秀明;
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作者单位

奈良先端大 umeda.kenta.ua9@ms.naist.jp;

奈良先端大;

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