非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管关键工艺研究

高锦成; 李正亮; 曹占锋; 姚琪; 关峰; 惠官宝

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为优化金属氧化物薄膜晶体管(IGZO-TFT)的特性,采用射频磁控溅射法沉积IGZO薄膜作为半导体活性层,制备出具有刻蚀阻挡层(Etch stop layer,ESL)结构的IGZO TFT,在2.5 G试验线上研究了IGZO沉积过程中O_2浓度、IGZO沉积后N_2O等离子体处理、ESL的制备温度和ESL沉积过程中N_2O/Si H4的比例等关键工艺条件对IGZO TFT的阈值电压(Vth)的影响。实验结果表明:IGZO沉积过程中O_2浓度的增加、IGZO沉积后N_2O等离子体处理和ESL制备温度的降低会导致IGZO TFT的V_(th)正偏移。

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来源
《硅酸盐通报》 |2016年第9期|2946-2949|共4页
作者
高锦成; 李正亮; 曹占锋; 姚琪; 关峰; 惠官宝;
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作者单位

京东方科技集团股份有限公司;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
铟镓锌氧化物薄膜晶体管; 刻蚀阻挡层; N2O等离子体; 阈值电压;

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