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首页> 外文会议>Proceedings vol.2004-01; International Symposium on Advanced Short-Time Thermal Processing for Si-Based CMOS Devices II; 20040510-12; San Antonio,TX(US) >ULTRA-SHALLOW JUNCTION IMPLANT ANNEAL USING XENON ARC FLASH LAMPS
【24h】

ULTRA-SHALLOW JUNCTION IMPLANT ANNEAL USING XENON ARC FLASH LAMPS

机译：使用氙气弧光灯的超浅接线端子

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Various ultra-shallow ~(11)B~+ and ~(49)BF_2~+ implanted Si wafers were annealed using xenon arc flash lamps. The duration of illumination was controlled between 0.1 ms and 10 ms. Characteristics of ultra-shallow ~(11)B~+ and ~(49)BF_2~+ implanted Si wafers were investigated in terms of electrical activation and dopant redistribution after annealing. Sheet resistance was measured after exposure under various flash annealing conditions. Changes in dopant depth profile and crystal defect density were investigated before and after flash anneal using secondary ion mass spectroscopy (SIMS) and cross-sectional transmission electron microscopy (XTEM).
机译：使用氙弧闪光灯将各种超浅〜（11）B〜+和〜（49）BF_2〜+注入的硅晶片退火。照明持续时间控制在0.1毫秒至10毫秒之间。从退火后的电激活和掺杂物再分布的角度研究了超浅〜（11）B〜+和〜（49）BF_2〜+注入的硅晶片的特性。在各种快速退火条件下曝光后，测量薄层电阻。使用二次离子质谱（SIMS）和横截面透射电子显微镜（XTEM）在快速退火之前和之后研究了掺杂剂深度分布和晶体缺陷密度的变化。

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