ACCURATE MODELING OF COPPER PRECIPITATION KINETICS INCLUDING FERMI LEVEL DEPENDENCE

机译：精确的铜沉淀动力学模型，包括费米能级

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Copper is one of the most important contaminants for silicon electronics, and it has detrimental effects on device performance if present in active regions. In this work, we investigate copper precipitation models that provide the foundation for simulating copper diffusion and precipitation processes in silicon. These models are verified by comparison to experimental measurements from Flink et al. [1, 2].

机译：铜是硅电子产品最重要的污染物之一，如果存在于有源区内，它会对器件性能产生不利影响。在这项工作中，我们研究了铜沉淀模型，这些模型为模拟铜在硅中的扩散和沉淀过程提供了基础。通过与Flink等人的实验测量结果进行比较，验证了这些模型。 [1，2]。

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来源
《Proceedings vol.2004-05; International Symposium on High Purity Silicon and Meeting of the Electrochemical Society; 20041003-08; Honolulu,HI(US)》|2004年|P.165-175|共11页
会议地点 HonoluluHI(US)
作者
Hsiu-Wu Guo; Scott T. Dunham;
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作者单位

Department of Electrical Engineering, University of Washington Seattle, WA 98195;

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类 TN304.12;
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