• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文会议>Proceedings vol.2005-08; International Symposium on Microelectronics Technology and Devices(SBMICRO 2005); 200509; >A STUDY OF TOTAL SERIES RESISTANCE AND EFFECTIVE CHANNEL LENGTH COMPARING SOI nMOSFET AND GC SOI nMOSFET IN SATURATION REGION
【24h】

A STUDY OF TOTAL SERIES RESISTANCE AND EFFECTIVE CHANNEL LENGTH COMPARING SOI nMOSFET AND GC SOI nMOSFET IN SATURATION REGION

机译：饱和区SOI nMOSFET和GC SOI nMOSFET的总串联电阻和有效沟道长度的比较

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

This work presents a study of total series resistance (R_s) and effective channel length (L_(eff)) comparing conventional SOI and GC SOI nMOSFETs in saturation region. The GC and conventional SOI devices have different behaviors due to the structural differences. The lower doped region of the GC devices has fundamental influence in Rs and L_(eff) extraction, I.e., it suggests that its intrinsic resistance value is added to the series resistance parameter and not to the channel one. Such behavior also influences the extraction of L_(eff), as the applied method shows.
机译：这项工作对饱和区域中的常规SOI和GC SOI nMOSFET进行了总串联电阻（R_s）和有效沟道长度（L_（eff））的研究。由于结构上的差异，GC和传统的SOI设备具有不同的行为。 GC器件的较低掺杂区在Rs和L_（eff）提取中具有基本影响，即表明它的本征电阻值被添加到串联电阻参数中，而不是通道一中。如所应用的方法所示，这种行为还影响L_（eff）的提取。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号