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首页> 外文会议>Proceedings vol.2005-08; International Symposium on Microelectronics Technology and Devices(SBMICRO 2005); 200509; >FABRICATION AND ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF MOS CAPACITORS ON 100nm-STEPPED SILICON SURFACES
【24h】

FABRICATION AND ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF MOS CAPACITORS ON 100nm-STEPPED SILICON SURFACES

机译：100nm硅片表面MOS电容器的制备与电学表征

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In this work, it was investigated MOS capacitors fabricated onto periodic rectangular shapes, 100 nm in height, obtained by localized plasma etching onto silicon wafer surfaces. Gate oxide growth was performed in ultrapure dry or pyrogenic environments in order to compare the coverage uniformity at the step edges of rectangular shapes defined onto the silicon surfaces. It was shown that pyrogenic oxidation at 850 ℃ allows one to obtain gate oxides on 100nm-stepped silicon surfaces with low leakage current and high dielectric breakdown field. This behavior can be understood as highly conformal gate oxides over silicon steps with height of 100 nm. The impact of this result is now the feasibility of implementing gate oxides for surrounding gate transistors (SGT's) including FinFETs.
机译：在这项工作中，研究了通过局部等离子刻蚀在硅片表面上获得的，制造成高度为100 nm的周期性矩形形状的MOS电容器。栅极氧化物的生长是在超纯的干燥或热解环境中进行的，目的是比较在硅表面上定义的矩形台阶边缘处的覆盖均匀性。结果表明，在850℃下进行热解氧化，可以在100nm台阶的硅表面上获得栅氧化物，且漏电流小，介电击穿场强高。可以将这种行为理解为高度为100 nm的硅台阶上高度保形的栅极氧化物。该结果的影响现在是为包括FinFET的周围栅极晶体管（SGT）实现栅极氧化物的可行性。

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