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首页> 外文会议>Progress in High-Temperature Superconducting Transistors and Other Devices II >Large-area ion-beam-sputtered YBa2Cu3O7-delta films for novel device structures
【24h】

Large-area ion-beam-sputtered YBa2Cu3O7-delta films for novel device structures

机译：用于新型器件结构的大面积离子束溅射YBa2Cu3O7-δ膜

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Abstract: We report on the improvements in preparation of large area superconducting YBa$-2$/Cu$-3$/O$-7$MIN$delta$/ films by single target ion beam sputtering. We show that, under suited and reproducible sputtering conditions, the '1-2-3' stoichiometry is transferred from the YBa$-2$/Cu$-3$/O$-7$MIN$delta$/ target to the substrates. As-deposited films on $LS@100$GRT SrTiO$-3$/ show excellent superconducting properties (T$-c0$/ $EQ 90 $POM 0.5 K, $Delta@T$-c$/ $LS 1 K, j$-c$/ (77 K) $EQ 1.0 $MIN 1.2 $MUL 10$+6$/ A cm$+$MIN@2$/) over areas larger than $APEQ 30 cm$+2$/. Lower T$-c0$/'s (60 - 70 K) have been obtained on Si and GaAs wafers with a conducting Indium Tin Oxide (ITO) buffer layer.!10
机译：摘要：我们报道了通过单靶离子束溅射制备大面积超导YBa $ -2 $ / Cu $ -3 $ / O $ -7 $ MIN $ delta $ /膜的改进。我们表明，在合适且可重现的溅射条件下，“ 1-2-3”化学计量比从YBa $ -2 $ / Cu $ -3 $ / O $ -7 $ MIN $ delta $ /目标转移到基质上。 $ LS @ 100 $ GRT SrTiO $ -3 $ /上的沉积膜显示出优异的超导性能（T $ -c0 $ / $ EQ 90 $ POM 0.5 K，$ Delta @ T $ -c $ / $ LS 1 K， j $ -c $ /（77 K）$ EQ 1.0 $ MIN 1.2 $ MUL 10 $ + 6 $ / A cm $ + $ MIN @ 2 $ /）在大于$ APEQ 30 cm $ + 2 $ /的区域上在具有导电铟锡氧化物（ITO）缓冲层的Si和GaAs晶圆上获得了较低的T $ -c0 $ / s（60-70 K）！10

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