Optische Interbandspektroskopie an photovoltaisch-relevanten Materialien

机译：光电相关材料的光学带间光谱

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Die optische Interbandspektroskopie hat viel zur Aufklärung der Bandstruk-tur(BS) von Halbleitern beigetragen. Ihre niederenergetische Grenze wird von der Ausläuferabsorption vor der Absorptionskante gebildet. Für E＞E_g sind die bis dahin bevorzugten Transmissionsmessungen durch spektrale Ellipsometrie und Reflektometrie zu ersetzen, letztere vervollständigt durch Kramer-Kronig-Analyse zur Ermittlung der komplexen DK, die den Zusammenhang mit der kombinierten Zustandsdichte der BS herstellt.

机译：带间光学光谱已经做了很多工作来阐明半导体的能带结构（BS）。它们的低能量极限是由吸收边缘前面的尾部吸收形成的。对于E＞ E_g，先前优选的透射率测量必须由光谱椭圆仪和反射仪代替，后者由Kramer-Kronig分析完成以确定复数DK，该复数DK与BS状态的合并密度建立了联系。

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来源
《Solar Energy Research at the Hahn-Meitner-Institute : Abstract》|1995年|21-22|共2页
会议地点 Stutenhaus(DE)
作者
W. Henrion;
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作者单位

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正文语种 ger
中图分类太阳能技术;
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