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首页> 外文会议>Solar Energy Research at the Hahn-Meitner-Institute : Abstract >Reaktives Magnetron-Sputtern als Abscheidemethode für Verbindungshalbleiter
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Reaktives Magnetron-Sputtern als Abscheidemethode für Verbindungshalbleiter

机译：反应磁控溅射作为化合物半导体的沉积方法

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Das Magnetron-Sputtern ist ein relativ einfaches PVD-Abscheideverfahren, das vor ca. 20 Jahren entwickelt wurde [1,2] und in der Industrie schon breit eingeführt ist, insbesondere zur Abscheidung von Metallschichten [3]. Das Magnetron-Sputtern wurde vom schon lange bekannten Diodensputtern abgeleitet, bei dem sich zwei Elektroden (Target bzw. Substratelektrode) in einem Abstand von einigen cm gegenüberstehen. Durch Anordnung eines Ringkernmagneten hinter dem Target kann die Brennspannung einer kalten Plasmaentladung in einer in der Regel aus Edelgasen (Ar) bestehenden Atmosphäre deutlich herabgesetzt werden. Typische Parameter sind: p=5·10~(-3) mbar, U_(ent)=200-600 V, r= 100-500 nm/min.
机译：磁控溅射是一种相对简单的PVD沉积工艺，大约在20年前开发[1,2]，并已在工业中广泛引入，特别是用于金属层的沉积[3]。磁控管溅射源自众所周知的二极管溅射，其中两个电极（目标电极或基板电极）相互面对，相距几厘米。通过将环形磁体布置在靶的后面，可以在通常由稀有气体（Ar）组成的气氛中显着降低冷等离子体放电的工作电压。典型参数为：p = 5·10〜（-3）mbar，U_（ent）= 200-600 V，r = 100-500 nm / min。

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