Zur Berechnung von Punktdefektbildungsenergien und Homogenitätsbereichen in Verbindungshalbleitern

机译：用于计算化合物半导体中的点缺陷形成能和均匀性范围

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J. A. Van Vechten veröffentlichte 1975 im Journal of the Electrochemical Society zwei Artikel mit den Titeln "Simple Theoretical Estimates of the Schottky Constants and Virtual-Enthalpies of Single Vacancy Formation in Zinc-blende and Wurtzite Type Semiconductors" (Vol. 122, S. 419 - 422) und "Simple Theoretical Estimates of the Enthalpy of Antistructure Pair Formation and Virtual-Enthalpies of Isolated Antistructure Defects in Zinc-blende and Wurtzite Type Sem-conductors " (Vol. 122, S. 423 - 429).

机译：JA Van Vechtenveröffentlichte1975 im电化学学会杂志zwei Artikel mit den Titeln“在锌闪耀型和纤锌矿型半导体中肖特基常数和单空位形成的虚拟焓的简单理论估计”（第122卷，第419页- 422）和“锌混合和纤锌矿型Sem-导体中反结构对形成的焓和孤立的反结构缺陷的虚拟焓的简单理论估计”（第122卷，S. 423-429）。

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来源
《Solar Energy Research at the Hahn-Meitner-Institute : Abstract》|1995年|27-28|共2页
会议地点 Stutenhaus(DE)
作者
Sebastian Fiechter;
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作者单位

Abteilung Solare Energetik(HMI-CS);

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种 ger
中图分类太阳能技术;
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