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冯少新; 李宝会; 杨智; 金庆华; 郭振亚; 丁大同;
南开大学物理系,天津,300071;
铌酸锂; 电子壳层模型; 点缺陷形成能; 经验途径计算;
机译:Si和Ge中本征点缺陷的形成能及其对Ge晶体生长的影响
机译:Ⅱ-Ⅵ型晶体本征点缺陷的形成能
机译:二维胶体晶体的形成能和点缺陷的相互作用
机译:用于计算化合物半导体中的点缺陷形成能和均匀性范围
机译:晶体中点缺陷的定量扫描透射电子显微镜
机译:高通量DFT计算ABO3钙钛矿的形成能稳定性和氧空位形成能
机译:萤石晶体中点缺陷形成能的壳模型计算
机译:应变层超晶格(postprint)中原生点缺陷的形成能。
机译:经验证的信息计算系统,经验证的信息计算设备,计算机程序和记录介质
机译:使用dft计算和经验范德华势能对分子晶体进行能量排名的方法
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