首页> 外文会议>Solar Energy Research at the Hahn-Meitner-Institute : Abstract >Intrinsische Defekte in elementaren- und Verbindungshalbleitern
【24h】

Intrinsische Defekte in elementaren- und Verbindungshalbleitern

机译:基本半导体和化合物半导体的固有缺陷

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

摘要

Für die elektrischen Eigenschaften von Halbleitermaterialien spielen die intrinsischen Defekte (Leerstelle, Zwischengitteratom, Antistrukturatome) und ihre Wechselwirkungen untereinander und mit anderen Defekten (Fremdatome) eine zentrale Rolle. Wir berichten über ein Vorhaben, das sich mit der Untersuchung intrinisischer Defekte auf atomarer Skala befaßt und als hauptsächliche Technik sogenannte "Nukleare Sondenmethoden" einsetzt und weiterentwickelt. Solche Sondenmethoden sind z.B. der Mößbauereffekt und die gestörte Winkelkorrelation PAC (Perturbed Angular Correlation), die durch ihre Nutzung im Zusammenhang mit dem Schwerionenbeschleuniger am ISL Berlin erweiterte Anwendungsmöglichkeiten erfahren [1].
机译:本征缺陷(空的空间,间隙原子,反结构原子)及其相互之间以及与其他缺陷(外来原子)的相互作用在半导体材料的电性能中起着核心作用。我们报告了一个项目,该项目涉及原子级内在缺陷的调查,并使用和开发了所谓的“核探针法”作为主要技术。这样的探针方法是例如。 Mössbauer效应和扰动角度相关性PAC(扰动角相关性)通过与ISL柏林的重离子加速器结合使用而得到扩展[1]。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号