Department of Electrical Engineering California Institute of Technology Pasadena, California 9 1125;
Department of Chemistry California Institute of Technology Pasadena, California 91125;
Department of Chemistry California Institute of Technology Pasadena, California 91125;
Department of Electrical Engineering California Institute of Technology Pasadena, California 9 1125;
机译:释放蚀刻和表征集成在标准8金属130 nm CMOS工艺中的MEMS电容式压力传感器
机译:CMOS和3D集成传感器或传感器阵列的遮光结构
机译:基于标准CMOS工艺的集成微加速度计的设计与加工
机译:一种使用炭黑聚合物和标准CMOS工艺的综合化学传感器阵列
机译:使用标准CMOS工艺的化学传感器设计。
机译:单片CMOS传感器平台具有9216碳纳米管传感器元件阵列以及低噪声宽带和宽动态范围读出电路
机译:基于炭黑和聚合物薄膜的集成化学传感器,使用标准的cmos工艺和后处理