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Correlation between microstructure, DC resistivity and magnetoresistance of SrRuO_3 films

机译：SrRuO_3薄膜的微观结构，直流电阻率与磁阻的相关性

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We have investigated the correlation between microstructure, DC resistivity and magnetoresistance of SrRuO_3 thin films. The films were epitaxially grown by pulsed laser deposition on (001) SrTiO_3 substrates in a temperature range of 690-810℃. According to x-ray measurements, the structure of all films is a mixture of highly oriented domains of strained orthorhombic phases (ortho-Ⅰ and ortho-Ⅱ) with different lattice parameters. Films deposited at 780℃ show a minimum resistivity (270 μΩcm at 300 K) and a maximum magnetoresistance (8% at 5 K). These films consist mainly of ortho-Ⅰ phase (a=0.393 nm). Films deposited at 690℃ (predominantly ortho-Ⅱ) have the highest resistivity (up to 1700 μΩcm at 300 K) and lowest magnetoresistance (3% at 5 K).
机译：我们研究了SrRuO_3薄膜的微观结构，直流电阻率和磁阻之间的关系。通过脉冲激光沉积在（001）SrTiO_3衬底上在690-810℃的温度下外延生长薄膜。根据X射线测量，所有薄膜的结构都是具有不同晶格参数的正交正交应变相（正交Ⅰ和正交Ⅱ）的高取向畴的混合物。在780℃沉积的薄膜显示出最小电阻率（在300 K下为270μΩcm）和最大磁阻（在5 K下为8％）。这些薄膜主要由正交Ⅰ相（a = 0.393 nm）组成。在690℃（主要为邻Ⅱ型）下沉积的薄膜具有最高的电阻率（在300 K时高达1700μΩcm）和最低的磁阻（在5 K时为3％）。

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