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【2h】

Correlation of anomalous Hall resistivity, magnetoresistance, and magnetization in thin films of La2/3Sr1/3MnO3

机译：La2 / 3Sr1 / 3MnO3薄膜中异常霍尔电阻，磁阻和磁化强度的相关性

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摘要

[[abstract]]The Hall resistivity rho(H) and magnetoresistance of La2/3Sr1/3MnO3 (T(C)similar to 360 K) have been measured at temperatures up to 300 K in fields to 6 T. The linear correlation between the anomalous Hall coefficient R-s and the longitudinal resistivity rho related to skew scattering is found. The change of the anomalous part is attributed to the thermal spin fluctuation that could be described by an empirical relation R-s proportional to [M(0)-M(T)]. The correlation among R-s, rho, and [M(0)-M(T)] directly suggests that the dependence of resistivity may be described by the scattering due to thermal spin disorder. [S0163-1829(99)01841-X].
机译：[[摘要]]在最高300 K的温度和6 T的温度下测量了La2 / 3Sr1 / 3MnO3（T（C）类似于360 K）的霍尔电阻rh（H）和磁阻。发现异常霍尔系数Rs和与偏斜散射有关的纵向电阻率rho。异常部分的变化归因于热自旋波动，可以用与[M（0）-M（T）]成比例的经验关系R-s来描述。 R-s，rho和[M（0）-M（T）]之间的相关性直接表明，电阻率的依赖性可以通过热自旋无序引起的散射来描述。 [S0163-1829（99）01841-X]。

著录项

  • 作者

    Chen JC;

  • 作者单位
  • 年度 2011
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