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首页> 外文会议>Structure-Property Relationships of Oxide Surfaces and Interfaces II >Segregation of Yttrium Ions as {2Y_(Zr)~/:V_O~(‥)}~x to the Surfaces of t-ZrO_2
【24h】

Segregation of Yttrium Ions as {2Y_(Zr)~/:V_O~(‥)}~x to the Surfaces of t-ZrO_2

机译：钇离子以{2Y_（Zr）〜/：V_O〜（‥）}〜x的形式分离到t-ZrO_2的表面

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Atomistic simulation has been used to predict the segregation of defect clusters containing two substitutional Y~(3+) ions and one charge compensating oxygen vacancy to the (100) and (101) surfaces of t-ZrO_2. The most stable orientation of the defect cluster depends on its distance from the surface. Significantly, segregation energies vary greatly between surfaces. For example, the defect cluster is equally stable up to a depth of 9A from the (100) surface but only to a depth of 4A below the (101) surface. In both cases, segregation energies are negligible 12A beneath the surface.
机译：原子模拟已被用来预测缺陷簇的分离，该缺陷簇包含两个取代的Y〜（3+）离子和一个电荷补偿t-ZrO_2（100）和（101）表面的氧空位。缺陷簇的最稳定取向取决于其距表面的距离。值得注意的是，表面之间的分离能差异很大。例如，缺陷簇在距（100）表面9A的深度处同样稳定，但仅距（101）表面以下4A的深度一样稳定。在这两种情况下，表面之下的偏析能量都可以忽略不计12A。

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