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首页> 外文会议>Symposium on Atomic Resolution Microscopy of Surfaces and Interfaces held December 3-5, 1996, Boston; Massachusetts,U.S.A. >STM study of a defect-rrelated Si(001)-c(4x4) surface
【24h】

STM study of a defect-rrelated Si(001)-c(4x4) surface

机译：缺陷相关的Si（001）-c（4x4）表面的STM研究

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We demonstrate scanning tunneling microscopy studies of a Si(001)-c(4x4) structure which consists of a considerable number of dimer vacancies (missing dimers). Two different preparation methods are examined; one is hydrogen desorption and another is a special annealing and cooling process without hydrogen. The STM images reveal that atomic structure of the c(4x4) prepared without hydrogenis quite different from that prepared with hydrogen and is well described by the missing dimer model. A moire-like pattern is observed on the c(4x4) surface prepared by hydrogen with an increase in the tip-sample distance, which suggests that the atoms lying in the subsurface should be considered for the precise description of the c(4x4) structure.
机译：我们展示了Si（001）-c（4x4）结构的扫描隧道显微镜研究，该结构由相当数量的二聚体空位（缺少二聚体）组成。研究了两种不同的制备方法；一个是氢气脱附，另一个是没有氢气的特殊退火和冷却过程。 STM图像显示，没有氢制备的c（4x4）的原子结构与氢制备的原子结构有很大不同，并且缺失的二聚体模型很好地描述了该结构。在氢制备的c（4x4）表面观察到类似波纹的图案，尖端采样距离增加，这表明为了精确描述c（4x4）结构，应考虑表面下的原子。

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