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首页> 外文会议>Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US >Investigation and modeling of fluorine co-implantation effects on dopant redistribution
【24h】

Investigation and modeling of fluorine co-implantation effects on dopant redistribution

机译：氟共注入对掺杂物再分布影响的研究与建模

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A comprehensive model is developed from ab-initio calculations to understand the effects of co-implanted fluorine (F) on boron (B) and phosphorus (P) under sub-amorphizing and amorphizing conditions. The depth of the amorphous-crystalline interface and the implant depth of F are the key parameters to understand the interactions. Under sub-amorphizing conditions, B and P diffusion are enhanced, in contrast to amorphized regions where the model predicts retarded diffusion. This analysis predicts the F effect on B and P to be entirely due to interactions of F with point-defects.
机译：通过从头算计算得出了一个综合模型，以了解在亚非晶化和非晶化条件下共注入氟（F）对硼（B）和磷（P）的影响。非晶-晶体界面的深度和F的注入深度是了解相互作用的关键参数。在亚非晶化条件下，与模型预测延迟扩散的非晶化区域相比，B和P扩散得到增强。该分析预测F对B和P的影响完全归因于F与点缺陷的相互作用。

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