• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文会议>Symposium on CMOS Front - End Materials and Process Technology; 20030422-20030424; San Francisco,CA; US >B Diffusion in Low Energy B/BF2 Implants with Pre-Amorphization of Different Species
【24h】

B Diffusion in Low Energy B/BF2 Implants with Pre-Amorphization of Different Species

机译：低能B / BF2植入物中B的扩散与不同物种的预非晶化

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

The formation of an amorphous layer is needed to prevent channeling effect of B in the subsequent implant and hence, shallower as-implanted and annealed profiles could be expected. B diffusion in the pre-amorphization (PAI) Si has been studied extensively by many research groups and the diffusion has been explained by the interaction of B and defects generated by the PAI and B implant processes. In our previous study, we found that B diffusion can also be affected by the immobile B clustering caused by the incorporated species and therefore, B diffusion in the PAI Si should be expected to be different with different PAI species due to their different effect on the B clustering. In this paper, we reported different B diffusion behavior in bulk Si with respective to different PAI species. The species include GeF_2, Ge, F, BF_2, and In and the immobile B clustering plays an important role in the B diffusion reduction.
机译：需要形成非晶层以防止B在随后的注入中的沟道效应，因此，可以预期较浅的注入和退火轮廓。许多研究小组已广泛研究了预非晶化（PAI）Si中的B扩散，并通过B与PAI和B注入工艺产生的缺陷之间的相互作用来解释扩散。在我们以前的研究中，我们发现掺入物种引起的固定B团簇也可能影响B的扩散，因此，由于不同的PAI物种对BAI Si的影响不同，因此应该预期PAI Si中的B扩散会有所不同。 B聚类。在本文中，我们报道了体硅中不同的B扩散行为，分别对应于不同的PAI物种。物种包括GeF_2，Ge，F，BF_2和In，固定的B团簇在B扩散减少中起重要作用。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号