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通过倾斜式预非晶化而减少受应变的晶体管中的晶体缺陷的技术

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摘要

通过基于受应力的上覆材料(209，211，309，311，319S)而进行倾斜式非晶化注入(tilted amorphization implantation)(208，308P，308N)以及随后的再结晶，提供一种高度有效的应变引发机构(strain-inducing mechanism)。该倾斜式非晶化注入(208，308P，308N)在再结晶工艺期间可导致缺陷比率(defect rate)明显减少，从而实质上减少精密晶体管元件(200，300N，300P)中的漏电流。

著录项

公开/公告号CN101322228B

专利类型发明专利
公开/公告日2012-07-25

原文格式PDF
申请/专利权人格罗方德半导体公司;
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申请/专利号CN200680045160.1
发明设计人 J·亨奇尔;A·魏;M·海因策;P·亚沃尔卡;
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申请日2006-11-15
分类号
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟
地址英属开曼群岛大开曼岛
入库时间 2022-08-23 09:10:30

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-01-09

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/336 授权公告日:20120725 终止日期:20161115 申请日:20061115

专利权的终止
2012-07-25

授权

授权
2012-07-25

授权

授权
2010-09-08

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/336 变更前: 变更后: 登记生效日:20100730 申请日:20061115

专利申请权、专利权的转移
2010-09-08

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/336 变更前: 变更后: 登记生效日:20100730 申请日:20061115

专利申请权、专利权的转移
2009-02-04

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-02-04

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-12-10

公开

公开
2008-12-10

公开

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