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【2h】

Photoresist-Free Fully Self-Patterned Transparent Amorphous Oxide Thin-Film Transistors Obtained by Sol-Gel Process

机译：Sol-Gel工艺获得的无光阻的完全自图案化透明非晶氧化物薄膜晶体管

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摘要

We demonstrated self-patterned solution-processed amorphous oxide semiconductor thin-film transistors (TFTs) using photosensitive sol-gels. The photosensitive sol-gels were synthesized by adding β-diketone compounds, i.e., benzoylacetone and acetylacetone, to sol-gels. The chemically modified photosensitive sol-gels showed a high optical absorption at specific wavelengths due to the formation of metal chelate bonds. Photoreactions of the modified solutions enabled a photoresist-free process. Moreover, Zn–Sn–O with a high Sn ratio, which is hard to wet-etch using conventional photolithography due to its chemical durability, was easily patterned via the self-patterning process. Finally, we fabricated a solution-processed oxide TFT that included fully self-patterned electrodes and an active layer.
机译：我们演示了使用感光溶胶凝胶的自构图溶液处理的非晶氧化物半导体薄膜晶体管（TFT）。通过将β-二酮化合物即苯甲酰基丙酮和乙酰丙酮加入到溶胶凝胶中来合成光敏溶胶凝胶。由于形成了金属螯合键，化学改性的光敏溶胶凝胶在特定波长下显示出高光学吸收。改性溶液的光反应实现了无光刻胶工艺。此外，具有高锡比的Zn-Sn-O由于其化学耐久性而难以使用常规光刻技术进行湿法刻蚀，因此很容易通过自构图工艺进行构图。最后，我们制造了一种溶液处理的氧化物TFT，其包括完全自图案化的电极和有源层。

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