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首页> 外文会议>Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A. >Kinetics of Ion Beam Synthesis of Sn and Sb Clusters in SiO_2 Layers
【24h】

Kinetics of Ion Beam Synthesis of Sn and Sb Clusters in SiO_2 Layers

机译：SiO_2层中Sn和Sb团簇的离子束合成动力学

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In this work we investigate the ion beam synthesis of Sn and Sb clusters in thin oxides. 80 keV (fluences of 0.1-1 X 10~(16) cm~(-2)) Sn implantation in 85 nm thick SiO_2, followed by annealing (800-1000℃ for 30-300 sec under Ar or N_2 dry ambient) in a rapid thermal processing (RTP) system, leads to the formation of two cluster bands, near the middle of the SiO_2 layer and the Si/SiO_2 interface. In addition, big isolated clusters are randomly distributed between the two bands. Cluster-size distribution and cluster-crystallinity are related to implantation fluence and annealing time. Low energy (10-12 keV) Sb and Sn implantation (fluences 2-5 X 10~(15) cm~(-2)) leads to the formation of very uniform cluster-size distribution. Under specific process conditions, only an interface cluster band is observed.
机译：在这项工作中，我们研究了薄氧化物中Sn和Sb团簇的离子束合成。 80 keV（0.1-1 X 10〜（16）cm〜（-2）的通量）在85 nm厚的SiO_2中注入Sn，然后在250℃Ar或N_2干燥环境中退火（800-1000℃进行30-300 sec）快速热处理（RTP）系统导致在SiO_2层和Si / SiO_2界面的中间附近形成两个簇带。另外，孤立的大簇在两个频带之间随机分布。团簇尺寸分布和团簇结晶度与注入通量和退火时间有关。低能量（10-12 keV）Sb和Sn注入（注量2-5 X 10〜（15）cm〜（-2））导致形成非常均匀的簇大小分布。在特定的过程条件下，仅观察到接口群集带。

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